SiC-beschichteter Fass-Suszeptor für LPE-Epitaxiewachstum

Unser SiC-beschichteter Barrel-Suszeptor für epitaktisches LPE-Wachstum ist ein hochwertiges und zuverlässiges Produkt, das ein hervorragendes Preis-Leistungs-Verhältnis bietet. Seine Hochtemperatur-Oxidationsbeständigkeit, sein gleichmäßiges thermisches Profil und die Vermeidung von Kontamination machen es zur idealen Wahl für das Wachstum hochwertiger Epitaxieschichten auf Waferchips. Seine geringen Wartungsanforderungen und Anpassbarkeit machen es zu einem äußerst wettbewerbsfähigen Produkt auf dem Markt.

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Parameter des SiC-beschichteten Barrel-Suszeptors für epitaxiales LPE-Wachstum

Merkmale des SiC-beschichteten Barrel-Suszeptors für epitaxiales LPE-Wachstum

- Sowohl das Graphitsubstrat als auch die Siliziumkarbidschicht haben eine gute Dichte und können eine gute schützende Rolle in Arbeitsumgebungen mit hohen Temperaturen und korrosiven Einflüssen spielen.

- Mit Siliziumkarbid beschichteter Suszeptor, der für die Einkristallzüchtung verwendet wird, hat eine sehr hohe Oberflächenebenheit.

- Reduzieren Sie den Unterschied im Wärmeausdehnungskoeffizienten zwischen dem Graphitsubstrat und der Siliziumkarbidschicht und verbessern Sie effektiv die Haftfestigkeit, um Risse und Delamination zu verhindern.

- Sowohl das Graphitsubstrat als auch die Siliziumkarbidschicht haben eine hohe Wärmeleitfähigkeit und ausgezeichnete Wärmeverteilungseigenschaften.

- Hoher Schmelzpunkt, Hochtemperatur-Oxidationsbeständigkeit, Korrosionsbeständigkeit.