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SiC-beschichteter Zylindersuszeptor für epitaktisches LPE-Wachstum

Der SiC-beschichtete Zylindersuszeptor von Semicorex für das epitaxiale LPE-Wachstum ist ein Hochleistungsprodukt, das für eine konstante und zuverlässige Leistung über einen längeren Zeitraum ausgelegt ist. Sein gleichmäßiges thermisches Profil, das laminare Gasströmungsmuster und die Vermeidung von Kontaminationen machen es zur idealen Wahl für das Wachstum hochwertiger Epitaxieschichten auf Waferchips. Seine Anpassbarkeit und Kosteneffizienz machen es zu einem äußerst wettbewerbsfähigen Produkt auf dem Markt.

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Produktbeschreibung

Unser SiC-beschichteter Zylindersuszeptor für das LPE-Epitaxiewachstum ist ein hochwertiges und zuverlässiges Produkt mit einem hervorragenden Preis-Leistungs-Verhältnis. Seine Oxidationsbeständigkeit bei hohen Temperaturen, sein gleichmäßiges thermisches Profil und die Verhinderung von Kontaminationen machen es zur idealen Wahl für das Wachstum hochwertiger Epitaxieschichten auf Wafer-Chips. Sein geringer Wartungsaufwand und seine Anpassbarkeit machen es zu einem äußerst wettbewerbsfähigen Produkt auf dem Markt.

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Parameter des SiC-beschichteten Zylindersuszeptors für das epitaktische LPE-Wachstum

Hauptspezifikationen der CVD-SIC-Beschichtung
SiC-CVD-Eigenschaften
Kristallstruktur	FCC-β-Phase
Dichte	g/cm³	3.21
Härte	Vickershärte	2500
Körnung	μm	2~10
Chemische Reinheit	%	99.99995
Wärmekapazität	J kg-1 K-1	640
Sublimationstemperatur	℃	2700
Biegekraft	MPa (RT 4-Punkt)	415
Elastizitätsmodul	Gpa (4-Punkt-Biegung, 1300 ℃)	430
Wärmeausdehnung (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Wärmeleitfähigkeit	(W/mK)	300

Merkmale des SiC-beschichteten Zylindersuszeptors für das epitaktische LPE-Wachstum

- Sowohl das Graphitsubstrat als auch die Siliziumkarbidschicht weisen eine gute Dichte auf und können in Arbeitsumgebungen mit hohen Temperaturen und Korrosion eine gute Schutzfunktion spielen.

- Der mit Siliziumkarbid beschichtete Suszeptor, der für die Einkristallzüchtung verwendet wird, weist eine sehr hohe Oberflächenebenheit auf.

- Reduzieren Sie den Unterschied im Wärmeausdehnungskoeffizienten zwischen dem Graphitsubstrat und der Siliziumkarbidschicht und verbessern Sie effektiv die Haftfestigkeit, um Risse und Delaminierung zu verhindern.

- Sowohl das Graphitsubstrat als auch die Siliziumkarbidschicht verfügen über eine hohe Wärmeleitfähigkeit und hervorragende Wärmeverteilungseigenschaften.

- Hoher Schmelzpunkt, Oxidationsbeständigkeit bei hohen Temperaturen, Korrosionsbeständigkeit.

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