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SiC-beschichteter Fass-Suszeptor für LPE-Epitaxiewachstum

SiC-beschichteter Fass-Suszeptor für LPE-Epitaxiewachstum

Semicorex SiC-beschichteter Barrel-Suszeptor für epitaktisches LPE-Wachstum ist ein Hochleistungsprodukt, das für eine konsistente und zuverlässige Leistung über einen längeren Zeitraum ausgelegt ist. Sein gleichmäßiges thermisches Profil, sein laminares Gasströmungsmuster und die Vermeidung von Kontamination machen es zur idealen Wahl für das Wachstum hochwertiger Epitaxieschichten auf Waferchips. Seine Anpassbarkeit und Kosteneffizienz machen es zu einem äußerst wettbewerbsfähigen Produkt auf dem Markt.

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Produktbeschreibung

Unser SiC-beschichteter Barrel-Suszeptor für epitaktisches LPE-Wachstum ist ein hochwertiges und zuverlässiges Produkt, das ein hervorragendes Preis-Leistungs-Verhältnis bietet. Seine Hochtemperatur-Oxidationsbeständigkeit, sein gleichmäßiges thermisches Profil und die Vermeidung von Kontamination machen es zur idealen Wahl für das Wachstum hochwertiger Epitaxieschichten auf Waferchips. Seine geringen Wartungsanforderungen und Anpassbarkeit machen es zu einem äußerst wettbewerbsfähigen Produkt auf dem Markt.

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Parameter des SiC-beschichteten Barrel-Suszeptors für epitaxiales LPE-Wachstum

Hauptspezifikationen der CVD-SIC-Beschichtung

SiC-CVD-Eigenschaften

Kristallstruktur

FCC β-Phase

Dichte

g/cm³

3.21

Härte

Vickers-Härte

2500

Körnung

μm

2~10

Chemische Reinheit

%

99.99995

Wärmekapazität

J·kg –1 ·K –1

640

Sublimationstemperatur

2700

Biegefestigkeit

MPa (RT 4-Punkt)

415

Elastizitätsmodul

Gpa (4pt Bend, 1300â)

430

Wärmeausdehnung (CTE)

10-6K-1

4.5

Wärmeleitfähigkeit

(W/mK)

300


Merkmale des SiC-beschichteten Barrel-Suszeptors für epitaxiales LPE-Wachstum

- Sowohl das Graphitsubstrat als auch die Siliziumkarbidschicht haben eine gute Dichte und können eine gute schützende Rolle in Arbeitsumgebungen mit hohen Temperaturen und korrosiven Einflüssen spielen.

- Mit Siliziumkarbid beschichteter Suszeptor, der für die Einkristallzüchtung verwendet wird, hat eine sehr hohe Oberflächenebenheit.

- Reduzieren Sie den Unterschied im Wärmeausdehnungskoeffizienten zwischen dem Graphitsubstrat und der Siliziumkarbidschicht und verbessern Sie effektiv die Haftfestigkeit, um Risse und Delamination zu verhindern.

- Sowohl das Graphitsubstrat als auch die Siliziumkarbidschicht haben eine hohe Wärmeleitfähigkeit und ausgezeichnete Wärmeverteilungseigenschaften.

- Hoher Schmelzpunkt, Hochtemperatur-Oxidationsbeständigkeit, Korrosionsbeständigkeit.




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