SiC-beschichteter Zylindersuszeptor für epitaktisches LPE-Wachstum

Unser SiC-beschichteter Zylindersuszeptor für das LPE-Epitaxiewachstum ist ein hochwertiges und zuverlässiges Produkt mit einem hervorragenden Preis-Leistungs-Verhältnis. Seine Oxidationsbeständigkeit bei hohen Temperaturen, sein gleichmäßiges thermisches Profil und die Verhinderung von Kontaminationen machen es zur idealen Wahl für das Wachstum hochwertiger Epitaxieschichten auf Wafer-Chips. Sein geringer Wartungsaufwand und seine Anpassbarkeit machen es zu einem äußerst wettbewerbsfähigen Produkt auf dem Markt.

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Parameter des SiC-beschichteten Zylindersuszeptors für das epitaktische LPE-Wachstum

Merkmale des SiC-beschichteten Zylindersuszeptors für das epitaktische LPE-Wachstum

- Sowohl das Graphitsubstrat als auch die Siliziumkarbidschicht weisen eine gute Dichte auf und können in Arbeitsumgebungen mit hohen Temperaturen und Korrosion eine gute Schutzfunktion spielen.

- Der mit Siliziumkarbid beschichtete Suszeptor, der für die Einkristallzüchtung verwendet wird, weist eine sehr hohe Oberflächenebenheit auf.

- Reduzieren Sie den Unterschied im Wärmeausdehnungskoeffizienten zwischen dem Graphitsubstrat und der Siliziumkarbidschicht und verbessern Sie effektiv die Haftfestigkeit, um Risse und Delaminierung zu verhindern.

- Sowohl das Graphitsubstrat als auch die Siliziumkarbidschicht verfügen über eine hohe Wärmeleitfähigkeit und hervorragende Wärmeverteilungseigenschaften.

- Hoher Schmelzpunkt, Oxidationsbeständigkeit bei hohen Temperaturen, Korrosionsbeständigkeit.