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SiC-beschichteter Zylindersuszeptor für epitaktisches Wachstum

Mit seiner überlegenen Dichte und Wärmeleitfähigkeit ist der Semicorex SiC-beschichtete Zylindersuszeptor für epitaktisches Wachstum die ideale Wahl für den Einsatz in Hochtemperatur- und korrosiven Umgebungen. Dieses mit hochreinem SiC beschichtete Graphitprodukt bietet hervorragenden Schutz und Wärmeverteilung und sorgt so für eine zuverlässige und konstante Leistung bei Anwendungen in der Halbleiterfertigung.

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Produktbeschreibung

Der Semicorex SiC Coated Barrel Susceptor für epitaktisches Wachstum ist dank seiner hervorragenden Wärmeleitfähigkeit und Wärmeverteilungseigenschaften die perfekte Wahl für die Bildung epixieller Schichten auf Halbleiterwafern. Seine Siliziumkarbid-Beschichtung bietet hervorragenden Schutz selbst in den anspruchsvollsten Umgebungen mit hohen Temperaturen und Korrosion.

Bei Semicorex konzentrieren wir uns darauf, unseren Kunden qualitativ hochwertige und kostengünstige Produkte anzubieten. Unser SiC-beschichteter Zylindersuszeptor für epitaktisches Wachstum hat einen Preisvorteil und wird in viele europäische und amerikanische Märkte exportiert. Unser Ziel ist es, Ihr langfristiger Partner zu sein, der gleichbleibende Qualitätsprodukte und außergewöhnlichen Kundenservice liefert.

Parameter eines SiC-beschichteten Zylindersuszeptors für epitaktisches Wachstum

Hauptspezifikationen der CVD-SIC-Beschichtung
SiC-CVD-Eigenschaften
Kristallstruktur	FCC-β-Phase
Dichte	g/cm³	3.21
Härte	Vickershärte	2500
Körnung	μm	2~10
Chemische Reinheit	%	99.99995
Wärmekapazität	J kg-1 K-1	640
Sublimationstemperatur	℃	2700
Biegekraft	MPa (RT 4-Punkt)	415
Elastizitätsmodul	Gpa (4-Punkt-Biegung, 1300 ℃)	430
Wärmeausdehnung (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Wärmeleitfähigkeit	(W/mK)	300

Merkmale des SiC-beschichteten Zylindersuszeptors für epitaktisches Wachstum

- Sowohl das Graphitsubstrat als auch die Siliziumkarbidschicht weisen eine gute Dichte auf und können in Arbeitsumgebungen mit hohen Temperaturen und Korrosion eine gute Schutzfunktion spielen.

- Der mit Siliziumkarbid beschichtete Suszeptor, der für die Einkristallzüchtung verwendet wird, weist eine sehr hohe Oberflächenebenheit auf.

- Reduzieren Sie den Unterschied im Wärmeausdehnungskoeffizienten zwischen dem Graphitsubstrat und der Siliziumkarbidschicht und verbessern Sie effektiv die Haftfestigkeit, um Risse und Delaminierung zu verhindern.

- Sowohl das Graphitsubstrat als auch die Siliziumkarbidschicht verfügen über eine hohe Wärmeleitfähigkeit und hervorragende Wärmeverteilungseigenschaften.

- Hoher Schmelzpunkt, Oxidationsbeständigkeit bei hohen Temperaturen, Korrosionsbeständigkeit.

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