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SiC-beschichteter Trommelsuszeptor für epitaxiales Wachstum

SiC-beschichteter Trommelsuszeptor für epitaxiales Wachstum

Mit seiner überlegenen Dichte und Wärmeleitfähigkeit ist der Semicorex SiC-beschichtete Barrel-Suszeptor für epitaxiales Wachstum die ideale Wahl für den Einsatz in Hochtemperatur- und korrosiven Umgebungen. Dieses mit hochreinem SiC beschichtete Graphitprodukt bietet hervorragenden Schutz und Wärmeverteilung und gewährleistet eine zuverlässige und beständige Leistung bei Anwendungen in der Halbleiterfertigung.

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Produktbeschreibung

Der Semicorex SiC Coated Barrel Susceptor for Epitaxial Growth ist dank seiner hervorragenden Wärmeleitfähigkeit und Wärmeverteilungseigenschaften die perfekte Wahl für die Epixialschichtbildung auf Halbleiterwafern. Seine Siliziumkarbidbeschichtung bietet hervorragenden Schutz selbst in den anspruchsvollsten Hochtemperatur- und korrosiven Umgebungen.

Bei Semicorex konzentrieren wir uns darauf, unseren Kunden qualitativ hochwertige und kostengünstige Produkte anzubieten. Unser SiC-beschichteter Zylinder-Suszeptor für epitaxiales Wachstum hat einen Preisvorteil und wird in viele europäische und amerikanische Märkte exportiert. Unser Ziel ist es, Ihr langfristiger Partner zu sein, der gleichbleibende Qualitätsprodukte und außergewöhnlichen Kundenservice liefert.


Parameter des SiC-beschichteten Trommelsuszeptors für epitaxiales Wachstum

Hauptspezifikationen der CVD-SIC-Beschichtung

SiC-CVD-Eigenschaften

Kristallstruktur

FCC β-Phase

Dichte

g/cm³

3.21

Härte

Vickers-Härte

2500

Körnung

μm

2~10

Chemische Reinheit

%

99.99995

Wärmekapazität

J·kg –1 ·K –1

640

Sublimationstemperatur

2700

Biegefestigkeit

MPa (RT 4-Punkt)

415

Elastizitätsmodul

Gpa (4pt Biegung, 1300â)

430

Wärmeausdehnung (CTE)

10-6K-1

4.5

Wärmeleitfähigkeit

(W/mK)

300


Merkmale des SiC-beschichteten Barrel-Suszeptors für epitaxiales Wachstum

- Sowohl das Graphitsubstrat als auch die Siliziumkarbidschicht haben eine gute Dichte und können eine gute schützende Rolle in Arbeitsumgebungen mit hohen Temperaturen und korrosiven Einflüssen spielen.

- Mit Siliziumkarbid beschichteter Suszeptor, der für die Einkristallzüchtung verwendet wird, hat eine sehr hohe Oberflächenebenheit.

- Reduzieren Sie den Unterschied im Wärmeausdehnungskoeffizienten zwischen dem Graphitsubstrat und der Siliziumkarbidschicht und verbessern Sie effektiv die Haftfestigkeit, um Risse und Delamination zu verhindern.

- Sowohl das Graphitsubstrat als auch die Siliziumkarbidschicht haben eine hohe Wärmeleitfähigkeit und ausgezeichnete Wärmeverteilungseigenschaften.

- Hoher Schmelzpunkt, Hochtemperatur-Oxidationsbeständigkeit, Korrosionsbeständigkeit.




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