Die fortschrittlichen, hochreinen Siliziumkarbid-beschichteten Komponenten von Semicorex sind so konstruiert, dass sie den extremen Umgebungsbedingungen im Wafer-Handhabungsprozess standhalten. Unser Halbleiter-Wafer-Chuck hat einen guten Preisvorteil und deckt viele europäische und amerikanische Märkte ab. Wir freuen uns darauf, Ihr langfristiger Partner in China zu werden.
Der ultraflache Halbleiter-Wafer-Chuck von Semicorex ist mit hochreinem SiC beschichtet und wird im Wafer-Handhabungsprozess verwendet. Halbleiter-Wafer-Chuck von MOCVD-Geräten. Das Compound-Wachstum weist eine hohe Hitze- und Korrosionsbeständigkeit auf, was eine große Stabilität in extremen Umgebungen bietet und das Ertragsmanagement für die Halbleiter-Wafer-Verarbeitung verbessert. Konfigurationen mit geringem Oberflächenkontakt minimieren das Risiko von Partikeln auf der Rückseite bei empfindlichen Anwendungen.
Parameter des Halbleiter-Wafer-Chucks
Hauptspezifikationen der CVD-SIC-Beschichtung |
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SiC-CVD-Eigenschaften |
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Kristallstruktur |
FCC-β-Phase |
|
Dichte |
g/cm³ |
3.21 |
Härte |
Vickershärte |
2500 |
Körnung |
μm |
2~10 |
Chemische Reinheit |
% |
99.99995 |
Wärmekapazität |
J kg-1 K-1 |
640 |
Sublimationstemperatur |
℃ |
2700 |
Biegekraft |
MPa (RT 4-Punkt) |
415 |
Elastizitätsmodul |
Gpa (4-Punkt-Biegung, 1300 ℃) |
430 |
Wärmeausdehnung (C.T.E) |
10-6K-1 |
4.5 |
Wärmeleitfähigkeit |
(W/mK) |
300 |
Merkmale des Halbleiter-Wafer-Chucks
- CVD-Siliziumkarbid-Beschichtungen zur Verbesserung der Lebensdauer.
- Ultraflache Eigenschaften
- Hohe Steifigkeit
- Geringe Wärmeausdehnung
- Extreme Verschleißfestigkeit