Halbleiter-Wafer-Boot

Semicorex bietet Waferboote, Sockel und kundenspezifische Waferträger sowohl für vertikale/Säulen- als auch horizontale Konfigurationen. Wir sind seit vielen Jahren Hersteller und Lieferant von Siliziumkarbid-Beschichtungsfolien. Unser Halbleiter-Wafer-Boot hat einen guten Preisvorteil und deckt die meisten europäischen und amerikanischen Märkte ab. Wir freuen uns darauf, Ihr langfristiger Partner in China zu werden.

Anfrage absenden

Produktbeschreibung

Semicorex Semiconductor Wafer Boat besteht aus gesinterter Siliziumkarbidkeramik, die eine gute Korrosionsbeständigkeit und eine ausgezeichnete Beständigkeit gegen hohe Temperaturen und Thermoschock aufweist. Fortschrittliche Keramik bietet eine hervorragende Wärmebeständigkeit und Plasmabeständigkeit und reduziert gleichzeitig Partikel und Verunreinigungen für Waferträger mit hoher Kapazität.
Bei Semicorex konzentrieren wir uns auf die Bereitstellung hochwertiger und kostengünstiger Halbleiter-Wafer-Boote. Wir legen großen Wert auf die Kundenzufriedenheit und bieten kostengünstige Lösungen. Wir freuen uns darauf, Ihr langfristiger Partner zu werden, der qualitativ hochwertige Produkte und außergewöhnlichen Kundenservice liefert.
Kontaktieren Sie uns noch heute, um mehr über unser Halbleiter-Wafer-Boot zu erfahren.

Parameter des Halbleiter-Wafer-Bootes

Technische Eigenschaften
Index	Einheit	Wert
Materialname		Reaktionsgesintertes Siliziumkarbid	Drucklos gesintertes Siliziumkarbid	Rekristallisiertes Siliziumkarbid
Zusammensetzung		RBSiC	SSiC	R-SiC
Schüttdichte	g/cm3	3	3,15 ± 0,03	2,60-2,70
Biegefestigkeit	MPa (kpsi)	338(49)	380(55)	80-90 (20°C) 90–100 (1400 °C)
Druckfestigkeit	MPa (kpsi)	1120(158)	3970(560)	> 600
Härte	Taste	2700	2800	/
Hartnäckigkeit brechen	MPa m1/2	4.5	4	/
Wärmeleitfähigkeit	W/m.k	95	120	23
Wärmeausdehnungskoeffizient	10^-6.1/°C	5	4	4.7
Spezifische Wärme	Joule/g 0k	0.8	0.67	/
Maximale Temperatur in der Luft	℃	1200	1500	1600
Elastizitätsmodul	Gpa	360	410	240

Der Unterschied zwischen SSiC und RBSiC:

1. Der Sinterprozess ist anders. RBSiC soll bei niedriger Temperatur freies Si in Siliziumkarbid infiltrieren, SSiC entsteht durch natürliche Schrumpfung bei 2100 Grad.

2. SSiC hat eine glattere Oberfläche, eine höhere Dichte und eine höhere Festigkeit. Für einige Dichtungen mit strengeren Oberflächenanforderungen ist SSiC besser.

3. Unterschiedliche Nutzungsdauer bei unterschiedlichem pH-Wert und unterschiedlicher Temperatur, SSiC ist länger als RBSiC

Merkmale des Halbleiter-Wafer-Bootes

Überlegene Hitzebeständigkeit und thermische Gleichmäßigkeit
Feine SiC-Kristallbeschichtung für eine glatte Oberfläche
Hohe Beständigkeit gegen chemische Reinigung
Das Material ist so konzipiert, dass es nicht zu Rissen und Delaminationen kommt.