Halbleiter-Wafer-Boot

Semicorex bietet Waferboote, Sockel und kundenspezifische Waferträger für vertikale/Säulen- und horizontale Konfigurationen an. Wir sind seit vielen Jahren Hersteller und Lieferant von Beschichtungsfilmen aus Siliziumkarbid. Unser Semiconductor Wafer Boat hat einen guten Preisvorteil und deckt die meisten europäischen und amerikanischen Märkte ab. Wir freuen uns darauf, Ihr langfristiger Partner in China zu werden.

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Produktbeschreibung

Semicorex Semiconductor Wafer Boat besteht aus gesinterter Siliziumkarbidkeramik, die eine gute Korrosionsbeständigkeit und eine hervorragende Beständigkeit gegen hohe Temperaturen und Thermoschocks aufweist. Fortschrittliche Keramiken bieten eine hervorragende Wärmebeständigkeit und Plasmabeständigkeit und mindern gleichzeitig Partikel und Verunreinigungen für Waferträger mit hoher Kapazität.
Bei Semicorex konzentrieren wir uns auf die Bereitstellung hochwertiger, kostengünstiger Halbleiter-Waferboote, wir legen Wert auf Kundenzufriedenheit und bieten kostengünstige Lösungen. Wir freuen uns darauf, Ihr langfristiger Partner zu werden, der qualitativ hochwertige Produkte und einen außergewöhnlichen Kundenservice liefert.
Kontaktieren Sie uns noch heute, um mehr über unser Semiconductor Wafer Boat zu erfahren.

Parameter des Halbleiterwaferboots

Technische Eigenschaften
Index	Einheit	Wert
Material Name		Reaktionsgesintertes Siliziumkarbid	Drucklos gesintertes Siliziumkarbid	Rekristallisiertes Siliziumkarbid
Komposition		RBSiC	SSiC	R-SiC
Schüttdichte	g/cm3	3	3,15 ± 0,03	2,60-2,70
Biegefestigkeit	MPa (kpsi)	338(49)	380(55)	80-90 (20°C)90-100(1400°C)
Druckfestigkeit	MPa (kpsi)	1120(158)	3970(560)	> 600
Härte	Knoop	2700	2800	/
Hartnäckigkeit brechen	MPa·m1/2	4.5	4	/
Wärmeleitfähigkeit	W/m.k	95	120	23
Der Wärmeausdehnungskoeffizient	10^-6.1/°C	5	4	4.7
Spezifische Wärme	Joule/g 0k	0.8	0.67	/
Maximale Temperatur in der Luft	℃	1200	1500	1600
Elastizitätsmodul	Gpa	360	410	240

Der Unterschied zwischen SSiC und RBSiC:

1. Der Sinterprozess ist anders. RBSiC soll freies Si bei niedriger Temperatur in Siliziumkarbid infiltrieren, SSiC wird durch natürliches Schrumpfen bei 2100 Grad gebildet.

2. SSiC hat eine glattere Oberfläche, eine höhere Dichte und eine höhere Festigkeit. Für einige Dichtungen mit strengeren Oberflächenanforderungen ist SSiC besser.

3. Unterschiedliche Nutzungszeiten bei unterschiedlichen pH-Werten und Temperaturen, SSiC ist länger als RBSiC

Merkmale des Halbleiterwaferboots

Hervorragende Hitzebeständigkeit und thermische Gleichmäßigkeit
Feine SiC-Kristallbeschichtung für eine glatte Oberfläche
Hohe Beständigkeit gegen chemische Reinigung
Das Material ist so konzipiert, dass keine Risse und Delaminationen auftreten.