Semicorex Graphite Thermal Field kombiniert modernste Materialwissenschaft mit einem tiefen Verständnis von Kristallwachstumsprozessen und liefert eine innovative Lösung, die es der Halbleiterindustrie ermöglicht, neue Leistungs-, Effizienz- und Kosteneffizienzniveaus zu erreichen.**
WeiterlesenAnfrage absendenSemicorex LPE SiC-Epi Halfmoon ist ein unverzichtbarer Aktivposten in der Welt der Epitaxie und bietet eine robuste Lösung für die Herausforderungen, die sich aus hohen Temperaturen, reaktiven Gasen und strengen Reinheitsanforderungen ergeben.**
WeiterlesenAnfrage absendenSemicorex CVD TaC Coating Cover hat sich zu einer entscheidenden Technologie in den anspruchsvollen Umgebungen in Epitaxiereaktoren entwickelt, die durch hohe Temperaturen, reaktive Gase und strenge Reinheitsanforderungen gekennzeichnet sind und robuste Materialien erfordern, um ein gleichmäßiges Kristallwachstum sicherzustellen und unerwünschte Reaktionen zu verhindern.**
WeiterlesenAnfrage absendenSemicorex-Graphit-Einzel-Silizium-Ziehwerkzeuge erweisen sich als unbesungene Helden im feurigen Tiegel von Kristallwachstumsöfen, wo die Temperaturen in die Höhe schnellen und Präzision an erster Stelle steht. Ihre bemerkenswerten Eigenschaften, die durch innovative Herstellung verfeinert wurden, machen sie unverzichtbar für die Entstehung von makellosem einkristallinem Silizium.**
WeiterlesenAnfrage absendenDer TaC-Beschichtungsführungsring von Semicorex dient als zentraler Bestandteil von Geräten zur metallorganischen chemischen Gasphasenabscheidung (MOCVD) und gewährleistet die präzise und stabile Zufuhr von Vorläufergasen während des epitaktischen Wachstumsprozesses. Der TaC-Beschichtungsführungsring verfügt über eine Reihe von Eigenschaften, die ihn ideal für den Einsatz unter den extremen Bedingungen in der MOCVD-Reaktorkammer machen.**
WeiterlesenAnfrage absendenDas Engagement von Semicorex für Qualität und Innovation zeigt sich im Segment der SiC-MOCVD-Abdeckungen. Indem es eine zuverlässige, effiziente und qualitativ hochwertige SiC-Epitaxie ermöglicht, spielt es eine entscheidende Rolle bei der Weiterentwicklung der Fähigkeiten von Halbleiterbauelementen der nächsten Generation.**
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