Sic beschichtete Wafer -Empfänger

Semicorex Sic Coated Wafer Susceptors sind so konzipiert, dass sie die drückenden Anforderungen für die Herstellung fortschrittlicher Halbleiter, insbesondere in Druckliegerliefen mit Drucklagen, erfüllen. Mit Präzisionsentwicklung bieten sie eine überlegene thermische Leistung, chemische Haltbarkeit und mechanische Stabilität-im Wesentlichen für Umgebungen der nächsten Generation für die Verarbeitung von Dünnfilmen.

Bei Ablagerungstechniken, die keinen Druck ausüben, wie die Atomschichtabscheidung (ALD), chemische Dampfabscheidung (CVD) und physikalische Dampfabscheidung (PVD) für sehr dünne Filme, sind die Hauptanforderungen eine gleichmäßige Temperaturverteilung und Oberflächenstabilität. Die Einzigartigkeit unseres Susceptor-Designs liegt in der Tatsache, dass es ein porous hoher porous Substrat umfasst, das es ermöglicht, unter Vakuum- oder Nah-Vakuum-Bedingungen effektiv zu arbeiten, wodurch die thermische Spannung verringert und eine gleichmäßige Energieübertragung über die Waferoberfläche liefert.

Die Mehrlochstruktur ist eine wichtige Innovation: Sie hilft, die thermische Masse zu reduzieren, sogar Gasflussverteilung zu fördern und Druckschwankungen zu verringern, die ansonsten die Ablagerungsgleichmäßigkeit beeinträchtigen könnten. Diese Struktur trägt auch zu einem schnelleren thermischen Anstiegs- und Abklingzyklen bei und verbessert die Gesamtdurchsatz- und Prozesskontrolle.

Wir bieten eine Reihe von Suszeptorgrößen, Geometrien und Porositätsniveaus an, die verschiedenen Ablagerungssystemkonstruktionen und Waferabmessungen entsprechen. Der modulare Charakter unseres Herstellungsprozesses ermöglicht die Anpassung, die spezifischen thermischen, mechanischen und chemischen Anforderungen des Dünnfilmprozesses des Kunden zu erfüllen.

Semicorex Sic Coated Wafer Susceptor ist eine Hochleistungslösung, die auf die einzigartigen Herausforderungen der unter Druck stehenden ultradünnen Filmablagerung zugeschnitten ist. Die Kombination aus porösem strukturellem Design und robuster SIC-Beschichtung bietet eine optimale Unterstützung für hochpräzise Halbleiterherstellungsprozesse und ermöglicht eine bessere Filmqualität, höhere Erträge und niedrigere Betriebskosten.