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Branchen-News

Kristallorientierung und Defekte in Siliziumwafern

Die grundlegende Kristallelementarzelle von monokristallinem Silizium ist die Zinkblendestruktur, in der jedes Siliziumatom chemisch mit vier benachbarten Siliziumatomen verbunden ist. Diese Struktur findet sich auch in monokristallinen Kohlenstoffdiamanten.

Verarbeitung von SiC-Einkristallsubstraten

Einkristalle aus Siliziumkarbid (SiC) werden überwiegend im Sublimationsverfahren hergestellt. Nach der Entnahme des Kristalls aus dem Tiegel sind mehrere aufwendige Bearbeitungsschritte erforderlich, um brauchbare Wafer herzustellen.

Einführung des Siliziummaterials

Silizium ist nach Sauerstoff das zweithäufigste Element auf der Erde. Das meiste Silizium kommt in Böden, Gesteinen, natürlichem Wasser, Bäumen und Pflanzen vor.

Warum gibt es in der Halbleiterindustrie eine steigende Nachfrage nach SiC-Keramik mit hoher Wärmeleitfähigkeit?

Derzeit ist Siliziumkarbid (SiC) ein äußerst aktives Forschungsgebiet für wärmeleitende Keramikmaterialien im In- und Ausland.

Glühprozesse in der modernen Halbleiterfertigung

Da Technologieknoten immer kleiner werden, stellt die Bildung extrem flacher Knotenpunkte eine große Herausforderung dar. Thermische Glühprozesse, darunter Rapid Thermal Annealing (RTA) und Flash Lamp Annealing (FLA), sind wichtige Techniken, die hohe Verunreinigungsaktivierungsraten aufrechterhalte......

Wie werden elektrostatische Keramikspannfutter eigentlich hergestellt?

Bei der Halbleiterfertigung sind Präzision und Stabilität des Ätzprozesses von größter Bedeutung. Ein entscheidender Faktor für die Erzielung einer qualitativ hochwertigen Ätzung ist die Sicherstellung, dass die Wafer während des Prozesses vollkommen flach auf dem Tablett liegen. Jede Abweichung kan......

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