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Branchen-News

Halbleiter der 4. Generation Galliumoxid/β-Ga2O3

Die erste Generation von Halbleitermaterialien besteht hauptsächlich aus Silizium (Si) und Germanium (Ge), deren Aufstieg in den 1950er Jahren begann. Germanium war in der Anfangszeit vorherrschend und wurde hauptsächlich in Niederspannungs-, Niederfrequenz- und Mittelleistungstransistoren und Fotod......

Defektfreies epitaktisches Wachstum und Fehlanpassungsversetzungen

Defektfreies epitaktisches Wachstum tritt auf, wenn ein Kristallgitter nahezu identische Gitterkonstanten aufweist wie ein anderes. Wachstum findet statt, wenn die Gitterplätze der beiden Gitter im Grenzflächenbereich ungefähr übereinstimmen, was bei einer kleinen Gitterfehlanpassung (weniger als 0,......

Oxidationsprozess

Der grundlegendste Schritt aller Prozesse ist der Oxidationsprozess. Beim Oxidationsprozess wird der Siliziumwafer für eine Hochtemperatur-Wärmebehandlung (800–1200 °C) in eine Atmosphäre aus Oxidationsmitteln wie Sauerstoff oder Wasserdampf gebracht. Auf der Oberfläche des Siliziumwafers kommt es z......

Warum wächst die Epitaxie von Galliumnitrid (GaN) nicht auf einem GaN-Substrat?

Das Wachstum der GaN-Epitaxie auf einem GaN-Substrat stellt trotz der im Vergleich zu Silizium überlegenen Eigenschaften des Materials eine einzigartige Herausforderung dar. Die GaN-Epitaxie bietet erhebliche Vorteile hinsichtlich der Bandlückenbreite, der Wärmeleitfähigkeit und des elektrischen Dur......

So führen Sie den CMP-Prozess durch

Bei der Herstellung von Siliziumwafern muss der Kristallstab, nachdem er in Siliziumwafer geschnitten wurde, poliert und gereinigt werden, um einen einkristallinen Siliziumwafer wie einen Spiegel zu erhalten.

Was ist ein CMP-Prozess?

In der Halbleiterfertigung wird üblicherweise die Ebenheit auf atomarer Ebene verwendet, um die globale Ebenheit des Wafers in der Einheit Nanometer (nm) zu beschreiben.

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