Siliziumkarbid findet zahlreiche Anwendungen in aufstrebenden und traditionellen Industrien. Derzeit hat der globale Halbleitermarkt 100 Milliarden Yuan überschritten. Es wird erwartet, dass der weltweite Umsatz mit Halbleiterfertigungsmaterialien bis 2025 39,5 Milliarden US-Dollar erreichen wird, w......
WeiterlesenBei der herkömmlichen Herstellung von Silizium-Leistungsbauelementen sind Hochtemperaturdiffusion und Ionenimplantation die wichtigsten Methoden zur Dotierstoffkontrolle, jede mit ihren Vor- und Nachteilen. Typischerweise zeichnet sich die Hochtemperaturdiffusion durch ihre Einfachheit, Kosteneffizi......
WeiterlesenSiliziumkarbid (SiC) ist ein anorganischer Stoff. Die Menge an natürlich vorkommendem Siliziumkarbid ist sehr gering. Es ist ein seltenes Mineral und wird Moissanit genannt. Siliziumkarbid, das in der industriellen Produktion verwendet wird, wird größtenteils künstlich synthetisiert.
WeiterlesenIn der Halbleiterindustrie spielen Epitaxieschichten eine entscheidende Rolle, indem sie auf einem Wafersubstrat spezifische einkristalline Dünnfilme bilden, die zusammenfassend als Epitaxiewafer bezeichnet werden. Insbesondere epitaktische Schichten aus Siliziumkarbid (SiC), die auf leitfähigen SiC......
WeiterlesenUnter epitaktischem Wachstum versteht man den Prozess des Aufwachsens einer kristallographisch wohlgeordneten monokristallinen Schicht auf einem Substrat. Im Allgemeinen umfasst das epitaktische Wachstum die Züchtung einer Kristallschicht auf einem einkristallinen Substrat, wobei die gewachsene Schi......
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