Der Halbleiter-Dünnschichtabscheidungsprozess ist ein wesentlicher Bestandteil der modernen Mikroelektroniktechnologie. Dabei handelt es sich um den Aufbau komplexer integrierter Schaltkreise durch die Abscheidung einer oder mehrerer dünner Materialschichten auf einem Halbleitersubstrat.
WeiterlesenSiliziumkarbid (SiC) ist ein Halbleitermaterial mit großer Bandlücke, das in den letzten Jahren aufgrund seiner außergewöhnlichen Leistung bei Hochspannungs- und Hochtemperaturanwendungen große Aufmerksamkeit erregt hat. Diese Studie untersucht systematisch die verschiedenen Eigenschaften von SiC-Kr......
Weiterlesen4H-SiC ist als Halbleitermaterial der dritten Generation für seine große Bandlücke, hohe Wärmeleitfähigkeit und hervorragende chemische und thermische Stabilität bekannt, was es für Hochleistungs- und Hochfrequenzanwendungen äußerst wertvoll macht.
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