Im Prozess der Wafervorbereitung gibt es zwei Kernglieder: Zum einen die Vorbereitung des Substrats und zum anderen die Durchführung des Epitaxieprozesses. Das Substrat, ein Wafer, der sorgfältig aus Halbleiter-Einkristallmaterial hergestellt wird, kann direkt in den Wafer-Herstellungsprozess als Gr......
WeiterlesenSiliziummaterial ist ein festes Material mit bestimmten elektrischen Halbleitereigenschaften und physikalischer Stabilität und bietet Substratunterstützung für den nachfolgenden Herstellungsprozess integrierter Schaltkreise. Es ist ein Schlüsselmaterial für siliziumbasierte integrierte Schaltkreise.......
WeiterlesenSiliziumkarbidsubstrat ist ein Verbindungshalbleiter-Einkristallmaterial, das aus zwei Elementen besteht: Kohlenstoff und Silizium. Es zeichnet sich durch eine große Bandlücke, eine hohe Wärmeleitfähigkeit, eine hohe kritische Durchschlagsfeldstärke und eine hohe Elektronensättigungsdriftrate aus.
WeiterlesenInnerhalb der Siliziumkarbid-Industriekette (SiC) haben Substratlieferanten einen erheblichen Einfluss, vor allem aufgrund der Wertverteilung. SiC-Substrate machen 47 % des Gesamtwerts aus, gefolgt von Epitaxieschichten mit 23 %, während Gerätedesign und -herstellung die restlichen 30 % ausmachen. D......
WeiterlesenSiC-MOSFETs sind Transistoren, die eine hohe Leistungsdichte, einen verbesserten Wirkungsgrad und niedrige Ausfallraten bei hohen Temperaturen bieten. Diese Vorteile von SiC-MOSFETs bringen zahlreiche Vorteile für Elektrofahrzeuge (EVs), einschließlich einer größeren Reichweite, schnellerem Laden un......
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