Als Halbleitermaterial der dritten Generation wird Galliumnitrid oft mit Siliziumkarbid verglichen. Galliumnitrid demonstriert immer noch seine Überlegenheit mit seiner großen Bandlücke, der hohen Durchbruchspannung, der hohen Wärmeleitfähigkeit, der hohen Sättigungselektronendriftgeschwindigkeit un......
WeiterlesenGaN-Materialien erlangten nach der Verleihung des Nobelpreises für Physik 2014 für blaue LEDs an Bedeutung. GaN-basierte Leistungsverstärker und HF-Geräte gelangten zunächst durch Schnellladeanwendungen in der Unterhaltungselektronik in den Fokus der Öffentlichkeit, haben sich aber in aller Stille a......
WeiterlesenIm Bereich der Halbleitertechnik und Mikroelektronik sind die Konzepte Substrate und Epitaxie von großer Bedeutung. Sie spielen eine entscheidende Rolle im Herstellungsprozess von Halbleiterbauelementen. Dieser Artikel befasst sich mit den Unterschieden zwischen Halbleitersubstraten und Epitaxie un......
WeiterlesenDer Produktionsprozess von Siliziumkarbid (SiC) umfasst die Vorbereitung des Substrats und die Epitaxie auf der Materialseite, gefolgt von Chip-Design und -Herstellung, Geräteverpackung und schließlich dem Vertrieb an nachgelagerte Anwendungsmärkte. Unter diesen Phasen ist die Verarbeitung des Subst......
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