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Branchen-News

Infineon stellt den weltweit ersten 300-mm-Power-GaN-Wafer vor

Kürzlich gab Infineon Technologies die erfolgreiche Entwicklung der weltweit ersten 300-mm-Power-Galliumnitrid-Wafer-Technologie (GaN) bekannt.

Herstellung von monokristallinem Silizium

Die drei Hauptmethoden, die bei der Herstellung von monokristallinem Silizium verwendet werden, sind die Czochralski-Methode (CZ), die Kyropoulos-Methode und die Float-Zone-Methode (FZ).

Oxidation in der Halbleiterverarbeitung

Oxidationsprozesse spielen eine entscheidende Rolle bei der Vermeidung solcher Probleme, indem sie eine Schutzschicht auf dem Wafer erzeugen, die sogenannte Oxidschicht, die als Barriere zwischen verschiedenen Chemikalien fungiert.

Was ist Siliziumnitrid?

Siliziumnitrid (Si3N4) ist ein Schlüsselmaterial bei der Entwicklung fortschrittlicher Hochtemperatur-Strukturkeramiken.

Verständnis der Ätzunterschiede zwischen Silizium- und Siliziumkarbid-Wafern

Ätzprozess: Silizium vs. Siliziumkarbid

Was ist ein elektrostatisches Spannfutter (ESC)?

Bei der Halbleiterfertigung sind Präzision und Stabilität des Ätzprozesses von größter Bedeutung. Ein entscheidender Faktor für die Erzielung einer qualitativ hochwertigen Ätzung ist die Sicherstellung, dass die Wafer während des Prozesses vollkommen flach auf dem Tablett liegen.

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