Siliziumkarbid (SiC) ist ein Material mit außergewöhnlicher thermischer, physikalischer und chemischer Stabilität und weist Eigenschaften auf, die über die herkömmlicher Materialien hinausgehen. Seine Wärmeleitfähigkeit beträgt erstaunliche 84 W/(m·K) und ist damit nicht nur höher als die von Kupfer......
WeiterlesenIm sich schnell entwickelnden Bereich der Halbleiterfertigung können selbst kleinste Verbesserungen einen großen Unterschied machen, wenn es darum geht, optimale Leistung, Haltbarkeit und Effizienz zu erreichen. Ein Fortschritt, der in der Branche für großes Aufsehen sorgt, ist die Verwendung einer ......
WeiterlesenDie Siliziumkarbid-Industrie umfasst eine Kette von Prozessen, die die Substraterstellung, das epitaktische Wachstum, das Gerätedesign, die Geräteherstellung, die Verpackung und das Testen umfasst. Im Allgemeinen wird Siliziumkarbid in Form von Barren hergestellt, die dann in Scheiben geschnitten, g......
WeiterlesenSiliziumkarbid (SiC) findet aufgrund seiner hervorragenden physikalisch-chemischen Eigenschaften wichtige Anwendungen in Bereichen wie der Leistungselektronik, Hochfrequenz-HF-Geräten und Sensoren für hochtemperaturbeständige Umgebungen. Der Schneidvorgang während der SiC-Wafer-Bearbeitung führt jed......
WeiterlesenDerzeit werden mehrere Materialien untersucht, von denen Siliziumkarbid als eines der vielversprechendsten gilt. Ähnlich wie GaN zeichnet es sich im Vergleich zu Silizium durch höhere Betriebsspannungen, höhere Durchbruchspannungen und eine bessere Leitfähigkeit aus. Darüber hinaus kann Siliziumkarb......
WeiterlesenDie beschichteten Teile im Halbleiter-Silizium-Einkristall-Heißfeld werden im Allgemeinen durch CVD-Verfahren beschichtet, einschließlich pyrolytischer Kohlenstoffbeschichtung, Siliziumkarbid-Beschichtung und Tantalkarbid-Beschichtung, jeweils mit unterschiedlichen Eigenschaften.
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