Bevor wir uns mit der Prozesstechnologie der chemischen Gasphasenabscheidung (CVD) für Siliziumkarbid (Sic) befassen, werfen wir zunächst einen Blick auf einige grundlegende Kenntnisse über die „chemische Gasphasenabscheidung“. Die chemische Gasphasenabscheidung (CVD) ist eine häufig verwendete T......
WeiterlesenDas thermische Feld des Einkristallwachstums ist die räumliche Temperaturverteilung innerhalb des Hochtemperaturofens während des Einkristallwachstumsprozesses, die sich direkt auf die Qualität, Wachstumsrate und Kristallbildungsrate des Einkristalls auswirkt. Das thermische Feld kann in stationäre ......
WeiterlesenDie fortschrittliche Halbleiterfertigung besteht aus mehreren Prozessschritten, darunter Dünnschichtabscheidung, Fotolithographie, Ätzen, Ionenimplantation und chemisch-mechanisches Polieren. Während dieses Prozesses können sich selbst kleinste Fehler im Prozess nachteilig auf die Leistung und Zuver......
WeiterlesenHochreine Graphitplatten sind plattenförmige Kohlenstoffmaterialien, die aus erstklassigen Rohstoffen wie Petrolkoks, Pechkoks oder hochreinem Naturgraphit durch eine Reihe von Produktionsprozessen wie Kalzinierung, Kneten, Formen, Backen, Hochtemperaturgraphitierung (über 2800℃) und Reinigung herge......
WeiterlesenZweidimensionale Materialien versprechen revolutionäre Fortschritte in der Elektronik und Photonik, doch viele der vielversprechendsten Kandidaten zerfallen innerhalb von Sekunden, wenn sie der Luft ausgesetzt werden, sodass sie für die Forschung oder die Integration in praktische Technologien prakt......
WeiterlesenBei der chemischen Gasphasenabscheidung unter niedrigem Druck (LPCVD) handelt es sich um CVD-Techniken, bei denen dünne Filmmaterialien in Niederdruckumgebungen auf Waferoberflächen abgeschieden werden. LPCVD-Prozesse werden häufig in Materialabscheidungstechnologien für die Halbleiterfertigung, Opt......
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