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Nachricht
Verfahren zur Dotierung von Halbleitern
Eine der einzigartigen Eigenschaften von Halbleitermaterialien besteht darin, dass ihre Leitfähigkeit sowie ihr Leitfähigkeitstyp (N-Typ oder P-Typ) durch einen als Dotierung bezeichneten Prozess erzeugt und gesteuert werden können. Dabei werden spezielle Verunreinigungen, sogenannte Dotierstoffe, i......
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Fehlererkennung bei der Verarbeitung von Siliziumkarbid-Wafern
SiC-Substrate sind die wichtigste Komponente in der Siliziumkarbidindustrie und machen fast 50 % ihres Wertes aus. Ohne SiC-Substrate ist die Herstellung von SiC-Geräten nicht möglich, weshalb sie die wesentliche Materialgrundlage darstellen.
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