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Forschungsfortschritt von TaC-Beschichtungen auf kohlenstoffbasierten Materialoberflächen

Kohlenstoffbasierte Materialien wie Graphit, Kohlenstofffasern und Kohlenstoff/Kohlenstoff (C/C)-Verbundwerkstoffe sind für ihre hohe spezifische Festigkeit, ihren hohen spezifischen Modul und ihre hervorragenden thermischen Eigenschaften bekannt und eignen sich daher für eine Vielzahl von Hochtempe......

Welche Anwendungen von Galliumnitrid (GaN)-Substrat?

Galliumnitrid (GaN) ist ein wichtiges Material in der Halbleitertechnologie, das für seine außergewöhnlichen elektronischen und optischen Eigenschaften bekannt ist. GaN hat als Halbleiter mit großer Bandlücke eine Bandlückenenergie von etwa 3,4 eV und ist damit ideal für Hochleistungs- und Hochfrequ......

Ein Überblick über 9 Sintertechniken für Siliziumkarbidkeramik

Siliziumkarbid (SiC), eine bekannte Strukturkeramik, ist für seine außergewöhnlichen Eigenschaften bekannt, darunter Hochtemperaturfestigkeit, Härte, Elastizitätsmodul, Verschleißfestigkeit, Wärmeleitfähigkeit und Korrosionsbeständigkeit. Aufgrund dieser Eigenschaften eignet es sich für ein breites ......

Technische Herausforderungen in Siliziumkarbid-Kristallwachstumsöfen

Kristallwachstumsöfen aus Siliziumkarbid (SiC) sind der Grundstein für die Herstellung von SiC-Wafern. SiC-Öfen weisen zwar Ähnlichkeiten mit herkömmlichen Siliziumkristall-Züchtungsöfen auf, stehen jedoch aufgrund der extremen Wachstumsbedingungen des Materials und der komplexen Defektbildungsmecha......

Reinigungstechnologie von Graphit in SiC-Halbleitern

Graphit ist für die Herstellung von Halbleitern aus Siliziumkarbid (SiC) von entscheidender Bedeutung, die für ihre außergewöhnlichen thermischen und elektrischen Eigenschaften bekannt sind. Dies macht SiC ideal für Hochleistungs-, Hochtemperatur- und Hochfrequenzanwendungen. Bei der Herstellung von......

Methode des GaN-Kristallwachstums

Bei der Herstellung großformatiger GaN-Einkristallsubstrate ist HVPE derzeit die beste Wahl für die Kommerzialisierung. Allerdings kann die Rückträgerkonzentration des gewachsenen GaN nicht genau gesteuert werden.

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