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Infineon stellt den weltweit ersten 300-mm-Power-GaN-Wafer vor

Kürzlich gab Infineon Technologies die erfolgreiche Entwicklung der weltweit ersten 300-mm-Power-Galliumnitrid-Wafer-Technologie (GaN) bekannt.

Herstellung von monokristallinem Silizium

Die drei Hauptmethoden, die bei der Herstellung von monokristallinem Silizium verwendet werden, sind die Czochralski-Methode (CZ), die Kyropoulos-Methode und die Float-Zone-Methode (FZ).

Oxidation in der Halbleiterverarbeitung

Oxidationsprozesse spielen eine entscheidende Rolle bei der Vermeidung solcher Probleme, indem sie eine Schutzschicht auf dem Wafer erzeugen, die sogenannte Oxidschicht, die als Barriere zwischen verschiedenen Chemikalien fungiert.

Analyse der Anwendungen und Entwicklungsperspektiven von SiC-Keramik in der Halbleiter- und Photovoltaikbranche

Siliziumkarbid (SiC) verfügt als wichtiges High-End-Keramikmaterial über hervorragende Eigenschaften wie Hochtemperaturbeständigkeit, Korrosionsbeständigkeit, Verschleißfestigkeit, mechanische Hochtemperaturfestigkeit und Oxidationsbeständigkeit. Diese Eigenschaften machen es äußerst vielversprechen......

Warum sollten Sie sich für druckloses Sintern für die Herstellung von SiC-Keramik entscheiden?

Die extrem hohe Synthesetemperatur und die Schwierigkeit, eine dichte Sinterung von SiC-Keramik zu erreichen, haben ihre Entwicklung eingeschränkt. Der Sinterprozess ist für SiC-Keramiken von entscheidender Bedeutung.

Was ist Siliziumnitrid?

Siliziumnitrid (Si3N4) ist ein Schlüsselmaterial bei der Entwicklung fortschrittlicher Hochtemperatur-Strukturkeramiken.

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