Die dritte Generation von Halbleitermaterialien mit großer Bandlücke, darunter Galliumnitrid (GaN), Siliziumkarbid (SiC) und Aluminiumnitrid (AlN), weist hervorragende elektrische, thermische und akusto-optische Eigenschaften auf. Diese Materialien beseitigen die Einschränkungen der ersten und zweit......
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