Durch die präzise Regulierung der Heiz- und Kühlprofile kann der Glühprozess Dotierstoffatome aktivieren, Gitterschäden reparieren, innere Spannungen abbauen und die elektrische Zuverlässigkeit von Wafern verbessern. Diese entscheidenden Leistungsverbesserungen bilden eine solide Grundlage für die a......
WeiterlesenKeramik-Vakuumspannfutter sind Werkzeuge zum Spannen und Transportieren von Halbleiterwafern bei der Halbleiterwaferherstellung. Sie zeichnen sich durch hohe Ebenheit und Parallelität, dichte und gleichmäßige Struktur, hohe Festigkeit, gute Luftdurchlässigkeit, gleichmäßige Adsorptionskraft und einf......
WeiterlesenDas Hauptziel besteht darin, eine gleichmäßige Waferoberflächentemperatur (≤ ± 0,5–5 °C) und Temperatur-/Strömungsfeldstabilität zu erreichen und dadurch die Gleichmäßigkeit der Epitaxieschichtdicke zu verbessern (<3%), doping uniformity (<8%), reducing defect density, and increasing growth rate (>6......
WeiterlesenC/C-Verbundwerkstoffe verfügen über zahlreiche hervorragende Eigenschaften und sind derzeit die einzigen Verbundwerkstoffe, die bei hohen Temperaturen über 2600 °C in inerten Atmosphären eingesetzt werden können, was sie in der Luft- und Raumfahrt-, Waffen-, Kernenergie-, Metallurgie- und Chemieindu......
WeiterlesenAls unverzichtbares Substratmaterial in der hochmodernen Halbleiterindustrie weisen Siliziumkarbidwafer hervorragende thermische und elektrische Eigenschaften auf und bieten breite Anwendungsaussichten in integrierten elektronischen Hochtemperatur-, Hochfrequenz-, Hochleistungs- und strahlungsbestän......
WeiterlesenBei der Kombination von weichem Filz und starrem/steifem Filz geht es im Wesentlichen darum, drei Dinge auszubalancieren: Wärmeleitung (Fest-/Gasphase), Strahlungswärmeübertragung sowie Struktur und Montage. Die Konzentration auf nur einen Indikator (z. B. die niedrigste Wärmeleitfähigkeit bei hohen......
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