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Verständnis der Ätzunterschiede zwischen Silizium- und Siliziumkarbid-Wafern

Ätzprozess: Silizium vs. Siliziumkarbid

Spezielle Vorbereitungstechniken für Siliziumkarbidkeramik

Keramikmaterialien aus Siliziumkarbid (SiC) verfügen über eine Reihe hervorragender Eigenschaften, darunter Hochtemperaturfestigkeit, starke Oxidationsbeständigkeit, hervorragende Verschleißfestigkeit, thermische Stabilität, niedriger Wärmeausdehnungskoeffizient, hohe Wärmeleitfähigkeit, hohe Härte,......

Was ist ein elektrostatisches Spannfutter (ESC)?

Bei der Halbleiterfertigung sind Präzision und Stabilität des Ätzprozesses von größter Bedeutung. Ein entscheidender Faktor für die Erzielung einer qualitativ hochwertigen Ätzung ist die Sicherstellung, dass die Wafer während des Prozesses vollkommen flach auf dem Tablett liegen.

GaN und SiC: Koexistenz oder Substitution?

Der Drang nach höherer Leistungsdichte und Effizienz ist zu einem Haupttreiber für Innovationen in zahlreichen Branchen geworden, darunter Rechenzentren, erneuerbare Energien, Unterhaltungselektronik, Elektrofahrzeuge und autonome Fahrtechnologien. Im Bereich der Wide-Bandgap-Materialien (WBG) sind ......

Was ist ein thermisches Feld?

Im Bereich der Einkristallzüchtung spielt die Temperaturverteilung innerhalb des Kristallzüchtungsofens eine entscheidende Rolle. Diese Temperaturverteilung, allgemein als thermisches Feld bezeichnet, ist ein entscheidender Faktor, der die Qualität und Eigenschaften des gezüchteten Kristalls beeinfl......

Isostatische Graphitproduktionstechnologie

Die isostatische Presstechnologie ist ein entscheidender Prozess bei der Herstellung von isostatischem Graphit und bestimmt maßgeblich die Leistung des Endprodukts. Daher bleiben umfassende Forschung und Optimierung der isostatischen Graphitproduktion weiterhin wesentliche Schwerpunkte der Branche.

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