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SiGe in der Chipherstellung: Ein professioneller Nachrichtenbericht

Um den Anforderungen an hohe Leistung und geringen Stromverbrauch im Bereich der modernen Halbleitertechnologie gerecht zu werden, hat sich SiGe (Siliziumgermanium) aufgrund seiner einzigartigen physikalischen und elektrischen Eigenschaften als Verbundmaterial der Wahl für die Herstellung von Halble......

Die Einheit im Halbleiter: Angström

Als Längeneinheit ist Angström (Å) in der Herstellung integrierter Schaltkreise allgegenwärtig. Von der präzisen Steuerung der Materialdicke bis hin zur Miniaturisierung und Optimierung der Gerätegröße ist das Verständnis und die Anwendung der Angström-Skala von zentraler Bedeutung, um die kontinuie......

Synthese von hochreinem Siliziumkarbidpulver

Hochreines Siliziumkarbidpulver verfügt über außergewöhnlich große Bandlückeneigenschaften, die es zu einem idealen Material für die Herstellung elektronischer Hochfrequenz- und Hochleistungsgeräte machen.

Fast 840 Millionen US-Dollar: Onsemi erwirbt ein SiC-Unternehmen

Heute gab Onsemi auf seiner offiziellen Website bekannt, dass es mit Qorvo eine Vereinbarung zur Übernahme des SiC-JFET-Technologiegeschäfts und der Tochtergesellschaft von Qorvo getroffen hat.

Was ist der Unterschied zwischen Graphitisierung und Karbonisierung?

Zusammenfassend lässt sich sagen, dass sowohl die Graphitierung als auch die Karbonisierung industrielle Prozesse sind, bei denen Kohlenstoff entweder als Reaktant oder als Produkt beteiligt ist. Unter Karbonisierung versteht man den Prozess der Umwandlung organischer Stoffe in Kohlenstoff, während ......

Ätzprozessparameter

Das Ätzen ist ein entscheidender Schritt bei der Chipherstellung und dient der Erzeugung winziger Schaltkreisstrukturen auf Siliziumwafern.

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