Siliziumkarbidkeramik ist ein fortschrittliches Keramikmaterial, das hauptsächlich aus Kohlenstoff und Silizium besteht. Siliziumkarbidkeramik zeichnet sich durch herausragende Leistungsmerkmale aus und wird häufig in High-End-Industrien eingesetzt, darunter in der mechanischen Bearbeitung, in der H......
WeiterlesenBeim Dünnschichtabscheidungsprozess der Chipherstellung werden zwei Technologien oft zusammen erwähnt, die sich jedoch grundlegend unterscheiden: Epitaxie und chemische Gasphasenabscheidung. Sie sind wie Cousins, beide gehören zur Familie der „Dampfwachstum“, haben aber unterschiedliche Eigenschafte......
WeiterlesenDie SiC-Prozesstechnologie Chemical Vapour Deposition (CVD) ist für die Herstellung leistungsstarker Leistungselektronik unerlässlich und ermöglicht das präzise epitaktische Wachstum hochreiner Siliziumkarbidschichten auf Substratwafern. Durch die Nutzung der großen Bandlücke und der überlegenen Wär......
WeiterlesenBei der chemischen Gasphasenabscheidung (CVD) werden hauptsächlich Eduktgase und Trägergase als Gase verwendet. Reaktionsgase stellen Atome oder Moleküle für das abgeschiedene Material bereit, während Trägergase zur Verdünnung und Kontrolle der Reaktionsumgebung verwendet werden. Nachfolgend sind ei......
WeiterlesenUnterschiedliche Anwendungsszenarien stellen unterschiedliche Leistungsanforderungen an Graphitprodukte, sodass eine präzise Materialauswahl ein zentraler Schritt bei der Anwendung von Graphitprodukten ist. Die Wahl von Graphitkomponenten mit einer Leistung, die zu den Anwendungsszenarien passt, kan......
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