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Die Anwendungsaussichten von 12-Zoll-Siliziumkarbidsubstraten

Siliziumkarbid (SiC) bietet als Halbleitermaterial mit großer Bandlücke beispiellose Vorteile bei Hochleistungs-, Hochtemperatur- und Hochfrequenzanwendungen.

Czochralski-Methode

Wafer werden aus Kristallstäben geschnitten, die aus polykristallinen und reinen undotierten intrinsischen Materialien hergestellt werden. Der Prozess der Umwandlung von polykristallinem Material in Einkristalle durch Schmelzen und Rekristallisieren wird als Kristallwachstum bezeichnet. Derzeit werd......

Waferherstellung

Wafer sind wesentliche Rohstoffe für integrierte Schaltkreise, Leistungsgeräte und diskrete Halbleitergeräte. Über 90 % der integrierten Schaltkreise werden aus hochreinen und hochwertigen Wafern hergestellt. Die Qualität und Lieferkapazität dieser Wafer innerhalb der Branche stehen in direktem Zusa......

Welche Herausforderungen sind mit der SiC-Herstellung verbunden?

Im Bereich der Halbleitermaterialien mit großer Bandlücke hat sich Siliziumkarbid (SiC) zu einem hoch angesehenen Material entwickelt, das sich insbesondere im Bereich der Hochleistungsumwandlung hervorhebt.

Was ist ein Dummy-Wafer?

Im Halbleiterfertigungsprozess bilden Wafer die Grundlage der Chipproduktion. Unter diesen spielt ein spezieller Wafertyp, der sogenannte Dummy Wafer, eine entscheidende Rolle bei der Gewährleistung der Anlagenstabilität und der Kontrolle der Produktionskosten.

Was ist die Halbleiter-Ionenimplantationstechnologie?

In der Halbleiterfertigung werden bei der Ionenimplantation hochenergetische Beschleuniger eingesetzt, um bestimmte Verunreinigungsatome wie Arsen oder Bor in ein Siliziumsubstrat zu injizieren.

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