Duschköpfe in Radierung

Duschköpfe aus Siliziumkarbid (SiC) sind Schlüsselkomponenten in Halbleiterfertigungsanlagen und spielen eine entscheidende Rolle in fortschrittlichen Prozessen wie der chemischen Gasphasenabscheidung (CVD) und der Atomlagenabscheidung (ALD).

Die Hauptfunktion von aSiC-Duschkopfbesteht darin, die Reaktionsgase gleichmäßig über die Waferoberfläche zu verteilen und so eine gleichmäßige und konsistente Abscheidung der Schichten sicherzustellen. Bei CVD- und ALD-Prozessen ist die gleichmäßige Verteilung der Reaktionsgase entscheidend für die Erzielung hochwertiger Dünnfilme. Die einzigartige Struktur und die Materialeigenschaften von SiC-Duschköpfen ermöglichen eine effiziente Gasverteilung und einen gleichmäßigen Gasfluss und erfüllen so die strengen Anforderungen an Filmqualität und Leistung in der Halbleiterfertigung.

Während des Wafer-Reaktionsprozesses wird die Duschkopfoberfläche dicht mit Mikroporen bedeckt (Porendurchmesser 0,2–6 mm). Durch eine präzise gestaltete Porenstruktur und einen Gasweg werden spezielle Prozessgase durch Tausende winziger Löcher in der Gasverteilungsplatte geleitet und gleichmäßig auf der Waferoberfläche abgeschieden. Dies gewährleistet eine äußerst gleichmäßige und konsistente Filmschicht über verschiedene Bereiche des Wafers hinweg. Daher stellt die Gasverteilerplatte neben extrem hohen Anforderungen an Sauberkeit und Korrosionsbeständigkeit auch hohe Anforderungen an die Konsistenz des Öffnungsdurchmessers und das Vorhandensein von Graten an den Innenwänden der Öffnungen. Übermäßige Toleranz- und Konsistenzstandardabweichungen der Öffnungsgröße oder das Vorhandensein von Graten an einer Innenwand führen zu einer ungleichmäßigen Dicke des abgeschiedenen Films, was sich direkt auf die Prozessausbeute der Anlage auswirkt. Bei plasmaunterstützten Prozessen (wie PECVD und Trockenätzen) erzeugt der Duschkopf als Teil der Elektrode mithilfe einer HF-Stromquelle ein gleichmäßiges elektrisches Feld, das eine gleichmäßige Plasmaverteilung fördert und so die Gleichmäßigkeit des Ätzens oder der Abscheidung verbessert.

SiC-Duschköpfe werden häufig in der Herstellung von integrierten Schaltkreisen, mikroelektromechanischen Systemen (MEMS), Leistungshalbleitern und anderen Bereichen eingesetzt. Ihre Leistungsvorteile zeigen sich besonders deutlich in fortgeschrittenen Prozessknoten, die eine hochpräzise Abscheidung erfordern, wie z. B. 7-nm- und 5-nm-Prozesse und darunter. Sie sorgen für eine stabile und gleichmäßige Gasverteilung, sorgen für Gleichmäßigkeit und Konsistenz der abgeschiedenen Schicht und verbessern so die Leistung und Zuverlässigkeit von Halbleiterbauelementen.

Semicorex bietet maßgeschneiderte AngeboteCVD-SiCUndSilizium Duschköpfebasierend auf den Bedürfnissen der Kunden. Wenn Sie Fragen haben oder weitere Informationen benötigen, zögern Sie bitte nicht, mit uns Kontakt aufzunehmen.

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