Da Halbleiterbauelemente immer kleiner, dünner und komplexer werden, müssen Wafer-Handhabungstechnologien ein beispielloses Maß an Präzision und Stabilität erreichen. Ein maßgeschneiderter poröser Keramikspannkopf hat sich als entscheidende Komponente in der modernen Halbleiterfertigung herausgestel......
WeiterlesenBei der Herstellung von LED-Chips dient die MOCVD-Epitaxie als Kernprozess zur Bestimmung der Lichtausbeute. Während der Produktion unterliegen Graphitsuszeptoren, die Saphir- oder Siliziumsubstrate tragen, wiederholten thermischen Zyklen bei Temperaturen nahe 1.000 °C in korrosiven Atmosphären. Dem......
WeiterlesenDa sich die Halbleiterfertigung weiter in Richtung größerer Wafergrößen, höherer Verarbeitungstemperaturen und strengerer Anforderungen an die Kontaminationskontrolle weiterentwickelt, sind Cantilever-Paddel aus Siliziumkarbid zu einem wesentlichen Bestandteil fortschrittlicher thermischer Verarbeit......
WeiterlesenAls führende Hochleistungskeramik für Halbleiteranwendungen bieten Aluminiumoxidkeramiken ein optimales Gleichgewicht zwischen Kosten, Bearbeitbarkeit und Gesamtleistung. Mit hoher Härte, ausgezeichneter Isolierung, hervorragender Korrosionsbeständigkeit und geringer Wärmeausdehnung erfüllen sie in ......
WeiterlesenIm Mai 2026 schloss NVIDIA seine Entscheidung ab, vollständig auf Flüssigmetall im standardmäßigen Vera Rubin (1800–2000 W TDP) zu verzichten und für die Massenproduktion auf Graphenpads mit hoher Wärmeleitfähigkeit umzusteigen; Die Ultra-High-End-Version (2500–2850 W) wird die extreme Lösung aus Fl......
WeiterlesenDie Halbleiterindustrie fordert weiterhin höhere Präzision, sauberere Verarbeitungsumgebungen und eine höhere Fertigungseffizienz. Da die Wafergrößen zunehmen und die Prozesstoleranzen immer strenger werden, haben herkömmliche Waferhaltemethoden oft Schwierigkeiten, den modernen Produktionsanforderu......
Weiterlesen