Da Technologieknoten immer kleiner werden, stellt die Bildung extrem flacher Knotenpunkte eine große Herausforderung dar. Thermische Glühprozesse, darunter Rapid Thermal Annealing (RTA) und Flash Lamp Annealing (FLA), sind wichtige Techniken, die hohe Verunreinigungsaktivierungsraten aufrechterhalte......
WeiterlesenBei der Halbleiterfertigung sind Präzision und Stabilität des Ätzprozesses von größter Bedeutung. Ein entscheidender Faktor für die Erzielung einer qualitativ hochwertigen Ätzung ist die Sicherstellung, dass die Wafer während des Prozesses vollkommen flach auf dem Tablett liegen. Jede Abweichung kan......
WeiterlesenDer Halbleiter-Dünnschichtabscheidungsprozess ist ein wesentlicher Bestandteil der modernen Mikroelektroniktechnologie. Dabei handelt es sich um den Aufbau komplexer integrierter Schaltkreise durch die Abscheidung einer oder mehrerer dünner Materialschichten auf einem Halbleitersubstrat.
WeiterlesenSiliziumkarbid (SiC) ist ein Halbleitermaterial mit großer Bandlücke, das in den letzten Jahren aufgrund seiner außergewöhnlichen Leistung bei Hochspannungs- und Hochtemperaturanwendungen große Aufmerksamkeit erregt hat. Diese Studie untersucht systematisch die verschiedenen Eigenschaften von SiC-Kr......
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