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Was ist thermisches Tempern?

Der Glühprozess, auch Thermal Annealing genannt, ist ein entscheidender Schritt in der Halbleiterfertigung.

Die Studie zu reaktionsgesinterten SiC-Keramiken und ihren Eigenschaften

Siliziumkarbid (SiC) ist eine durch kovalente Bindungen zwischen Silizium- und Kohlenstoffatomen gebildete Verbindung, die für ihre hervorragende Verschleißfestigkeit, Temperaturwechselbeständigkeit, Korrosionsbeständigkeit und hohe Wärmeleitfähigkeit bekannt ist.

Warum Ultraschallreinigung in der Halbleiterfertigung einsetzen?

Beim Reinigen von Wafern werden üblicherweise Ultraschallreinigung und Megaschallreinigung eingesetzt, um Partikel von der Waferoberfläche zu entfernen.

Wie wird Siliziumkarbidkeramik eingesetzt und wie sieht ihre Zukunft in Bezug auf Verschleiß- und Hochtemperaturbeständigkeit aus?

Siliziumkarbidkeramik (SiC), die für ihre hohe Festigkeit, Härte, Verschleißfestigkeit, Korrosionsbeständigkeit und Hochtemperaturstabilität bekannt ist, hat seit ihrer Einführung in zahlreichen Industriezweigen ein enormes Potenzial und einen enormen Wert bewiesen.

Die Studie zur Verteilung des elektrischen Widerstands in 4H-SiC-Kristallen vom n-Typ

4H-SiC ist als Halbleitermaterial der dritten Generation für seine große Bandlücke, hohe Wärmeleitfähigkeit und hervorragende chemische und thermische Stabilität bekannt, was es für Hochleistungs- und Hochfrequenzanwendungen äußerst wertvoll macht.

Was ist ein Kristallwachstumsofensystem?

Der Einkristall-Züchtungsofen besteht aus sechs Schlüsselsystemen, die harmonisch zusammenarbeiten, um ein effizientes und qualitativ hochwertiges Kristallwachstum zu gewährleisten.

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