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LPE ist die wichtige Methode zur Herstellung von 4H-SIC-Einzelkristall- und 3C-Sic-Einzelkristall zum P-Typ

SIC (Silicon Carbide) verfügt als breites Bandgap-Halbleitermaterial in der dritten Generation über hervorragende physikalische und elektrische Eigenschaften, wodurch es auf dem Gebiet der Kraft-Halbleiter-Geräte von Power Semiconductor umfassende Anwendungsaussichten aufweist.

Halbleiter Keramikteile

Halbleiter -Keramikteile gehören zur fortschrittlichen Keramik und sind ein unverzichtbarer Bestandteil des Halbleiterherstellungsprozesses. Die Rohstoffe für die Herstellung sind in der Regel hochpurige, ultra-feiner anorganische Materialien wie Aluminiumoxid, Siliziumcarbid, Aluminiumnitrid, Siliz......

Was ist ALN -Heizung

Aluminiumnitrid -Keramikheizung für Halbleiter ist ein Gerät, das zum Erwärmen von Halbleitermaterialien verwendet wird.

Siliziumkarbidpulver elektronischer Grad

Als Kernmaterial der Halbleiter der dritten Generation spielt Siliciumcarbid (SIC) eine zunehmend wichtige Rolle in High-Tech-Feldern wie neuen Energiefahrzeugen, Photovoltaik-Energiespeicherung und 5G-Kommunikation aufgrund seiner hervorragenden physikalischen Eigenschaften.

Was ist eine Glas-ähnliche Kohlenstoffbeschichtung

Semicorex bietet eine qualitativ hochwertige thermische Isolierung und eine Glas-ähnliche Kohlenstoffbeschichtung.

TAC beschichtet im sic kristallwachstum

TAC -beschichtete Tiegel sind zu einer wichtigen technischen Lösung als Reaktionsgefäße im Wachstumsprozess von Siliziumcarbidkristallen (SIC) geworden.

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