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Was ist ein Dopingprozess?

Bei der Herstellung ultrahochreiner Wafer müssen Wafer einen Reinheitsstandard von über 99,999999999 % erreichen, um die grundlegenden Eigenschaften von Halbleitern sicherzustellen. Paradoxerweise müssen für den funktionsfähigen Aufbau integrierter Schaltkreise bestimmte Verunreinigungen durch Dotie......

Keramik-Vakuumspannfutter

Keramik-Vakuumspannfutter bestehen aus porösen Keramikmaterialien mit gleichmäßiger Porengrößenverteilung und interner Verbindung. Nach dem Schleifen ist die Oberfläche glatt und zart mit guter Ebenheit. Sie werden häufig bei der Herstellung von Halbleiterwafern wie Silizium, Saphir und Galliumarsen......

Auf welche Indikatoren sollte bei der Auswahl geeigneter Wafer geachtet werden?

Die Waferauswahl hat einen erheblichen Einfluss auf die Entwicklung und Herstellung von Halbleiterbauelementen. Die Waferauswahl sollte sich an den Anforderungen spezifischer Anwendungsszenarien orientieren und anhand der folgenden entscheidenden Kennzahlen sorgfältig bewertet werden.

Siliziumkomponenten für die Trockenätzung

Trockenätzgeräte verwenden zum Ätzen keine Nasschemikalien. Es leitet hauptsächlich ein gasförmiges Ätzmittel durch eine obere Elektrode mit winzigen Durchgangslöchern in die Kammer ein. Das von der oberen und unteren Elektrode erzeugte elektrische Feld ionisiert das gasförmige Ätzmittel, das dann m......

Der Unterschied zwischen Dummy-, Forschungs- und Produktions-SiC-Substraten

Verarbeitung von SiC-Ingots

Als Vertreter der Halbleitermaterialien der dritten Generation verfügt Siliziumkarbid (SiC) über eine große Bandlücke, eine hohe Wärmeleitfähigkeit, ein starkes elektrisches Durchbruchfeld und eine hohe Elektronenmobilität, was es zu einem idealen Material für Hochspannungs-, Hochfrequenz- und Hochl......