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Unternehmens Nachrichten

Die Bedeutung poröser Graphitmaterialien für das SiC-Kristallwachstum

Die SiC-Kristallwachstumsofenkomponente von Semicorex, die poröse Graphittrommel, bringt drei große Vorteile mit sich und kann die Wettbewerbsfähigkeit heimischer SiC-Substrate wirksam stärken:

Das erste Unternehmen für die Industrialisierung von 6-Zoll-Galliumoxidsubstraten

Kürzlich gab unser Unternehmen bekannt, dass es erfolgreich einen 6-Zoll-Galliumoxid-Einkristall mithilfe der Gussmethode entwickelt hat und damit das erste inländische Industrieunternehmen ist, das die Technologie zur Herstellung von 6-Zoll-Galliumoxid-Einkristallsubstraten beherrscht.

Material zur Wärmefeldisolierung

Der Prozess des monokristallinen Siliziumwachstums findet überwiegend in einem thermischen Feld statt, wobei die Qualität der thermischen Umgebung die Kristallqualität und Wachstumseffizienz erheblich beeinflusst. Die Gestaltung des Wärmefeldes spielt eine entscheidende Rolle bei der Gestaltung von ......

Was ist ein SiC-beschichteter Graphitsuszeptor?

Um den SiC-beschichteten Graphitsuszeptor vorzustellen, ist es wichtig, seine Anwendung zu verstehen. Bei der Herstellung von Geräten müssen auf einigen Wafersubstraten weitere Epitaxieschichten aufgebaut werden.

Was sind die Herausforderungen bei der Herstellung von Siliziumkarbidsubstraten?

Siliziumkarbid (SiC) ist ein Material, das eine hohe Bindungsenergie besitzt, ähnlich wie andere harte Materialien wie Diamant und kubisches Bornitrid. Allerdings erschwert die hohe Bindungsenergie von SiC die direkte Kristallisation zu Barren mit herkömmlichen Schmelzmethoden. Daher beinhaltet der ......

Was ist Siliziumkarbid (SiC)?

Halbleitermaterialien lassen sich entsprechend der zeitlichen Abfolge in drei Generationen einteilen. Die erste Generation von Germanium, Silizium und anderen gängigen Monomaterialien, die sich durch bequemes Schalten auszeichnet, wird im Allgemeinen in integrierten Schaltkreisen verwendet. Die zwei......

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