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Unternehmens Nachrichten

Kristallwachstumsofen für Siliziumkarbid (SiC).

Das Kristallwachstum ist das zentrale Glied bei der Herstellung von Siliziumkarbid-Substraten, und die Kernausrüstung ist der Kristallwachstumsofen. Ähnlich wie bei herkömmlichen Kristallwachstumsöfen für kristallines Silizium ist die Ofenstruktur nicht sehr komplex und besteht hauptsächlich aus ein......

Anwendungs- und Entwicklungsherausforderungen von TaC-beschichteten Graphitkomponenten

Die Halbleitermaterialien mit großer Bandlücke der dritten Generation wie Galliumnitrid (GaN) und Siliziumkarbid (SiC) sind für ihre außergewöhnlichen optoelektronischen Umwandlungs- und Mikrowellensignalübertragungsfähigkeiten bekannt. Diese Materialien erfüllen die anspruchsvollen Anforderungen vo......

Was ist ein SiC-Boot und welche verschiedenen Herstellungsprozesse gibt es?

Ein SiC-Boot, kurz für Siliziumkarbid-Boot, ist ein hochtemperaturbeständiges Zubehörteil, das in Ofenrohren zum Transport von Wafern während der Hochtemperaturverarbeitung verwendet wird. Aufgrund der herausragenden Eigenschaften von Siliziumkarbid wie Beständigkeit gegenüber hohen Temperaturen, ch......

Poröser Graphit für das SiC-Kristallwachstum

Derzeit verwenden die meisten SiC-Substrathersteller ein neues Tiegel-Thermofeld-Prozessdesign mit porösen Graphitzylindern: Sie platzieren hochreine SiC-Partikel-Rohmaterialien zwischen der Graphittiegelwand und dem porösen Graphitzylinder, während der gesamte Tiegel vertieft und der Tiegeldurchmes......

Plasmaprozesse im CVD-Betrieb

Unter chemischer Gasphasenabscheidung (CVD) versteht man eine Prozesstechnologie, bei der mehrere gasförmige Reaktanten bei unterschiedlichen Partialdrücken unter bestimmten Temperatur- und Druckbedingungen eine chemische Reaktion eingehen. Der resultierende Feststoff lagert sich auf der Oberfläche ......

Silizium-Epitaxieschichten und -substrate in der Halbleiterfertigung

In den Bereichen der modernen Elektronik, Optoelektronik, Mikroelektronik und Informationstechnologie sind Halbleitersubstrate und Epitaxietechnologien unverzichtbar. Sie bieten eine solide Grundlage für die Herstellung leistungsstarker und äußerst zuverlässiger Halbleiterbauelemente. Während die Te......

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