> Nachricht > Unternehmens Nachrichten

Unternehmens Nachrichten

Was ist ein SiC-beschichteter Graphitsuszeptor?

Um den SiC-beschichteten Graphitsuszeptor vorzustellen, ist es wichtig, seine Anwendung zu verstehen. Bei der Herstellung von Geräten müssen auf einigen Wafersubstraten weitere Epitaxieschichten aufgebaut werden.

Was sind die Herausforderungen bei der Herstellung von Siliziumkarbidsubstraten?

Siliziumkarbid (SiC) ist ein Material, das eine hohe Bindungsenergie besitzt, ähnlich wie andere harte Materialien wie Diamant und kubisches Bornitrid. Allerdings erschwert die hohe Bindungsenergie von SiC die direkte Kristallisation zu Barren mit herkömmlichen Schmelzmethoden. Daher beinhaltet der ......

Was ist Siliziumkarbid (SiC)?

Halbleitermaterialien lassen sich entsprechend der zeitlichen Abfolge in drei Generationen einteilen. Die erste Generation von Germanium, Silizium und anderen gängigen Monomaterialien, die sich durch bequemes Schalten auszeichnet, wird im Allgemeinen in integrierten Schaltkreisen verwendet. Die zwei......

Vor- und Nachteile von Galliumnitrid (GaN)-Anwendungen

Während die Welt nach neuen Möglichkeiten im Halbleiterbereich sucht, gilt Galliumnitrid weiterhin als potenzieller Kandidat für zukünftige Energie- und HF-Anwendungen. Doch trotz all der Vorteile, die es bietet, steht es immer noch vor einer großen Herausforderung; Es gibt keine P-Typ-Produkte (P-T......

Anwendungen von Galliumoxid-Wafern

Galliumoxid (Ga2O3) hat sich als vielversprechendes Material für verschiedene Anwendungen erwiesen, insbesondere in Leistungsgeräten und Hochfrequenzgeräten (RF). In diesem Artikel untersuchen wir die wichtigsten Chancen und Zielmärkte für Galliumoxid in diesen Bereichen.

Einführung von Galliumoxid (Ga2O3)

Galliumoxid (Ga2O3) hat als „Halbleitermaterial mit extrem großer Bandlücke“ anhaltende Aufmerksamkeit erregt. Halbleiter mit extrem großer Bandlücke fallen in die Kategorie „Halbleiter der vierten Generation“, und im Vergleich zu Halbleitern der dritten Generation wie Siliziumkarbid (SiC) und Galli......

<...5 6 7 8 9 >