Dicke, hochreine Siliziumkarbidschichten (SiC), die typischerweise mehr als 1 mm betragen, sind kritische Komponenten in verschiedenen hochwertigen Anwendungen, einschließlich der Halbleiterfertigung und der Luft- und Raumfahrttechnik. Dieser Artikel befasst sich mit dem Verfahren der chemischen Gas......
WeiterlesenDie chemische Gasphasenabscheidung (CVD) ist eine vielseitige Dünnschichtabscheidungstechnik, die in der Halbleiterindustrie häufig zur Herstellung hochwertiger, konformer Dünnschichten auf verschiedenen Substraten eingesetzt wird. Dieser Prozess beinhaltet chemische Reaktionen gasförmiger Vorläufer......
WeiterlesenDieser Artikel befasst sich mit der Verwendung und der zukünftigen Entwicklung von Siliziumkarbid-Schiffen (SiC) im Vergleich zu Quarz-Schiffen in der Halbleiterindustrie und konzentriert sich dabei insbesondere auf deren Anwendungen in der Solarzellenherstellung.
WeiterlesenDas epitaktische Waferwachstum mit Galliumnitrid (GaN) ist ein komplexer Prozess, bei dem häufig eine zweistufige Methode zum Einsatz kommt. Dieses Verfahren umfasst mehrere kritische Schritte, darunter Hochtemperaturbacken, Pufferschichtwachstum, Rekristallisation und Glühen. Durch die sorgfältige ......
WeiterlesenSowohl epitaktische als auch diffundierte Wafer sind wesentliche Materialien in der Halbleiterfertigung, unterscheiden sich jedoch erheblich in ihren Herstellungsprozessen und Zielanwendungen. Dieser Artikel befasst sich mit den wichtigsten Unterschieden zwischen diesen Wafertypen.
WeiterlesenÄtzen ist ein wesentlicher Prozess in der Halbleiterfertigung. Dieser Prozess kann in zwei Typen eingeteilt werden: Trockenätzen und Nassätzen. Jede Technik hat ihre eigenen Vorteile und Grenzen, weshalb es wichtig ist, die Unterschiede zwischen ihnen zu verstehen. Wie wählt man also die beste Ätzme......
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