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Unternehmens Nachrichten

Poröser Graphit für das SiC-Kristallwachstum

Derzeit verwenden die meisten SiC-Substrathersteller ein neues Tiegel-Thermofeld-Prozessdesign mit porösen Graphitzylindern: Sie platzieren hochreine SiC-Partikel-Rohmaterialien zwischen der Graphittiegelwand und dem porösen Graphitzylinder, während der gesamte Tiegel vertieft und der Tiegeldurchmes......

Plasmaprozesse im CVD-Betrieb

Unter chemischer Gasphasenabscheidung (CVD) versteht man eine Prozesstechnologie, bei der mehrere gasförmige Reaktanten bei unterschiedlichen Partialdrücken unter bestimmten Temperatur- und Druckbedingungen eine chemische Reaktion eingehen. Der resultierende Feststoff lagert sich auf der Oberfläche ......

Silizium-Epitaxieschichten und -substrate in der Halbleiterfertigung

In den Bereichen der modernen Elektronik, Optoelektronik, Mikroelektronik und Informationstechnologie sind Halbleitersubstrate und Epitaxietechnologien unverzichtbar. Sie bieten eine solide Grundlage für die Herstellung leistungsstarker und äußerst zuverlässiger Halbleiterbauelemente. Während die Te......

Die Bedeutung poröser Graphitmaterialien für das SiC-Kristallwachstum

Die SiC-Kristallwachstumsofenkomponente von Semicorex, die poröse Graphittrommel, bringt drei große Vorteile mit sich und kann die Wettbewerbsfähigkeit heimischer SiC-Substrate wirksam stärken:

Das erste Unternehmen für die Industrialisierung von 6-Zoll-Galliumoxidsubstraten

Kürzlich gab unser Unternehmen bekannt, dass es erfolgreich einen 6-Zoll-Galliumoxid-Einkristall mithilfe der Gussmethode entwickelt hat und damit das erste inländische Industrieunternehmen ist, das die Technologie zur Herstellung von 6-Zoll-Galliumoxid-Einkristallsubstraten beherrscht.

Material zur Wärmefeldisolierung

Der Prozess des monokristallinen Siliziumwachstums findet überwiegend in einem thermischen Feld statt, wobei die Qualität der thermischen Umgebung die Kristallqualität und Wachstumseffizienz erheblich beeinflusst. Die Gestaltung des Wärmefeldes spielt eine entscheidende Rolle bei der Gestaltung von ......

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