Siliziumkarbid-Industrie

Die Siliziumkarbid-Industrie umfasst eine Kette von Prozessen, die die Substraterstellung, das epitaktische Wachstum, das Gerätedesign, die Geräteherstellung, die Verpackung und das Testen umfasst. Im Allgemeinen wird Siliziumkarbid in Form von Barren hergestellt, die dann in Scheiben geschnitten, geschliffen und poliert werden, um einen herzustellenSiliziumkarbid-Substrat. Das Substrat durchläuft den epitaktischen Wachstumsprozess, um ein zu erzeugenepitaktischer Wafer. Der epitaktische Wafer wird dann verwendet, um durch verschiedene Schritte wie Fotolithographie, Ätzen, Ionenimplantation und Abscheidung ein Gerät zu erzeugen. Die Wafer werden in Chips geschnitten und eingekapselt, um die Geräte zu erhalten. Abschließend werden die Geräte in einem speziellen Gehäuse zu Modulen zusammengefasst und montiert.

Der Wert der Siliziumkarbid-Industriekette konzentriert sich hauptsächlich auf die vorgelagerten Substrat- und Epitaxieverbindungen. Nach Angaben von CASA entfallen etwa 47 % der Kosten von Siliziumkarbid-Geräten auf das Substrat und 23 % auf die epitaktische Verbindung. Die Kosten vor der Herstellung machen 70 % der Gesamtkosten aus. Bei Si-basierten Geräten hingegen entfallen 50 % der Kosten auf die Waferherstellung und nur 7 % auf das Wafersubstrat. Dies unterstreicht den Wert des vorgelagerten Substrats und der epitaktischen Verbindungen für Siliziumkarbid-Geräte.

Trotz der Tatsache, dass dieSiliziumkarbid-SubstratUndepitaktischDie Preise sind im Vergleich zu Siliziumwafern relativ hoch, der hohe Wirkungsgrad, die hohe Leistungsdichte und andere Eigenschaften von Siliziumkarbidgeräten machen sie für verschiedene Branchen attraktiv, darunter neue Energiefahrzeuge, Energie und Industriesektoren. Daher wird erwartet, dass die Nachfrage nach Siliziumkarbid-Geräten rasch ansteigt, was die Durchdringung von Siliziumkarbid in verschiedenen Bereichen vorantreiben wird.