GaN vs. SiC

Derzeit werden mehrere Materialien untersucht, darunterSiliziumkarbidgilt als einer der vielversprechendsten. Ähnlich zuGaNIm Vergleich zu Silizium zeichnet es sich durch höhere Betriebsspannungen, höhere Durchbruchspannungen und eine bessere Leitfähigkeit aus. Dank seiner hohen WärmeleitfähigkeitSiliziumkarbidkann in Umgebungen mit extremen Temperaturen eingesetzt werden. Schließlich ist es deutlich kleiner, kann aber dennoch mehr Leistung verarbeiten.

ObwohlSiCist ein geeignetes Material für Leistungsverstärker, für Hochfrequenzanwendungen ist es jedoch nicht geeignet. Andererseits,GaNist das bevorzugte Material für den Bau kleiner Leistungsverstärker. Bei der Kombination standen die Ingenieure jedoch vor einer HerausforderungGaNmit P-Typ-Silizium-MOS-Transistoren, da dies die Frequenz und Effizienz einschränkteGaN. Obwohl diese Kombination ergänzende Funktionen bot, war sie keine ideale Lösung für das Problem.

Mit fortschreitender Technologie könnten Forscher schließlich P-Typ-GaN-Geräte oder komplementäre Geräte finden, die unterschiedliche Technologien nutzen und miteinander kombiniert werden könnenGaN. Bis zu diesem Tag jedochGaNwird weiterhin durch die Technologie unserer Zeit begrenzt sein.

Die Weiterentwicklung vonGaNTechnologie erfordert eine Zusammenarbeit zwischen Materialwissenschaften, Elektrotechnik und Physik. Dieser interdisziplinäre Ansatz ist notwendig, um die aktuellen Einschränkungen zu überwindenGaNTechnologie. Wenn wir Durchbrüche bei der Entwicklung von P-Typ-GaN erzielen oder geeignete komplementäre Materialien finden können, wird dies nicht nur die Leistung von GaN-basierten Geräten verbessern, sondern auch einen Beitrag zum breiteren Bereich der Halbleitertechnologie leisten. Dies könnte den Weg für effizientere, kompaktere und zuverlässigere elektronische Systeme in der Zukunft ebnen.