Kann man Siliziumkarbid schleifen?

Siliziumkarbid (SiC)Aufgrund seiner hervorragenden physikalisch-chemischen Eigenschaften findet es wichtige Anwendungen in Bereichen wie Leistungselektronik, Hochfrequenz-HF-Geräten und Sensoren für hochtemperaturbeständige Umgebungen. Allerdings erfolgt der Schneidevorgang währendSiC-WaferDurch die Verarbeitung entstehen Schäden an der Oberfläche, die sich, wenn sie unbehandelt bleiben, während des anschließenden epitaktischen Wachstumsprozesses ausdehnen und epitaktische Defekte bilden können, wodurch die Ausbeute des Bauelements beeinträchtigt wird. Daher spielen Schleif- und Polierprozesse eine entscheidende RolleSiC-Waferwird bearbeitet. Im Bereich der Verarbeitung von Siliziumkarbid (SiC) ist der technologische Fortschritt und die industrielle Entwicklung von Schleif- und Poliergeräten ein Schlüsselfaktor für die Verbesserung der Qualität und EffizienzSiC-Waferwird bearbeitet. Diese Ausrüstungen wurden ursprünglich in der Saphir-, kristallinen Silizium- und anderen Industrien eingesetzt. Mit der wachsenden Nachfrage nach SiC-Materialien in leistungsstarken elektronischen Geräten wurden auch die entsprechenden Verarbeitungstechnologien und -ausrüstungen rasch weiterentwickelt und ihre Anwendungen erweitert.

Im Schleifprozess vonEinkristalline Substrate aus Siliziumkarbid (SiC).Für die Bearbeitung werden üblicherweise Schleifkörper mit Diamantpartikeln verwendet, die in zwei Stufen unterteilt sind: Vorschliff und Feinschliff. Der Zweck der Vorschleifstufe besteht darin, die Effizienz des Prozesses durch die Verwendung größerer Korngrößen zu verbessern und die beim Mehrdrahtschneiden entstehenden Werkzeugspuren und Verschleißschichten zu entfernen, während die Feinschleifstufe auf die Entfernung der Bearbeitungsschadensschicht abzielt durch das Vorschleifen eingebracht und die Oberflächenrauheit durch den Einsatz kleinerer Korngrößen weiter verfeinert.

Schleifverfahren werden in einseitiges und doppelseitiges Schleifen unterteilt. Die doppelseitige Schleiftechnik ist effektiv bei der Optimierung des Verzugs und der Ebenheit des WerkstücksSiC-Substratund erzielt eine homogenere mechanische Wirkung im Vergleich zum einseitigen Schleifen durch die gleichzeitige Bearbeitung beider Seiten des Substrats mit der oberen und unteren Schleifscheibe. Beim einseitigen Schleifen oder Läppen wird das Substrat normalerweise durch Wachs auf Metallscheiben an Ort und Stelle gehalten, was bei der Ausübung von Bearbeitungsdruck zu einer leichten Verformung des Substrats führt, was wiederum zu einer Verformung des Substrats und einer Beeinträchtigung der Ebenheit führt. Im Gegensatz dazu wird beim doppelseitigen Schleifen zunächst Druck auf den höchsten Punkt des Untergrunds ausgeübt, wodurch dieser sich verformt und allmählich abflacht. Da der höchste Punkt allmählich geglättet wird, wird der auf das Substrat ausgeübte Druck allmählich verringert, so dass das Substrat während der Verarbeitung einer gleichmäßigeren Kraft ausgesetzt wird, wodurch die Möglichkeit einer Verformung nach Wegnahme des Verarbeitungsdrucks erheblich verringert wird. Diese Methode verbessert nicht nur die Verarbeitungsqualität derSubstrat, sondern bietet auch eine wünschenswertere Grundlage für den anschließenden Herstellungsprozess der Mikroelektronik.