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Material zur Wärmefeldisolierung

Der Prozess des monokristallinen Siliziumwachstums findet überwiegend in einem thermischen Feld statt, wobei die Qualität der thermischen Umgebung die Kristallqualität und Wachstumseffizienz erheblich beeinflusst. Die Gestaltung des Wärmefeldes spielt eine entscheidende Rolle bei der Gestaltung von ......

Was ist ein SiC-beschichteter Graphitsuszeptor?

Um den SiC-beschichteten Graphitsuszeptor vorzustellen, ist es wichtig, seine Anwendung zu verstehen. Bei der Herstellung von Geräten müssen auf einigen Wafersubstraten weitere Epitaxieschichten aufgebaut werden.

Was sind die Herausforderungen bei der Herstellung von Siliziumkarbidsubstraten?

Siliziumkarbid (SiC) ist ein Material, das eine hohe Bindungsenergie besitzt, ähnlich wie andere harte Materialien wie Diamant und kubisches Bornitrid. Allerdings erschwert die hohe Bindungsenergie von SiC die direkte Kristallisation zu Barren mit herkömmlichen Schmelzmethoden. Daher beinhaltet der ......

Siliziumkarbid-Industrie

Die Siliziumkarbid-Industrie umfasst eine Kette von Prozessen, die die Substraterstellung, das epitaktische Wachstum, das Gerätedesign, die Geräteherstellung, die Verpackung und das Testen umfasst. Im Allgemeinen wird Siliziumkarbid in Form von Barren hergestellt, die dann in Scheiben geschnitten, g......

Was ist Siliziumkarbid (SiC)?

Halbleitermaterialien lassen sich entsprechend der zeitlichen Abfolge in drei Generationen einteilen. Die erste Generation von Germanium, Silizium und anderen gängigen Monomaterialien, die sich durch bequemes Schalten auszeichnet, wird im Allgemeinen in integrierten Schaltkreisen verwendet. Die zwei......

Kann man Siliziumkarbid schleifen?

Siliziumkarbid (SiC) findet aufgrund seiner hervorragenden physikalisch-chemischen Eigenschaften wichtige Anwendungen in Bereichen wie der Leistungselektronik, Hochfrequenz-HF-Geräten und Sensoren für hochtemperaturbeständige Umgebungen. Der Schneidvorgang während der SiC-Wafer-Bearbeitung führt jed......

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