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Substrat und Epitaxie

Im Prozess der Wafervorbereitung gibt es zwei Kernglieder: Zum einen die Vorbereitung des Substrats und zum anderen die Durchführung des Epitaxieprozesses. Das Substrat, ein Wafer, der sorgfältig aus Halbleiter-Einkristallmaterial hergestellt wird, kann direkt in den Wafer-Herstellungsprozess als Gr......

Chemische Gasphasenabscheidung (CVD) verstehen: Ein umfassender Überblick

Die chemische Gasphasenabscheidung (CVD) ist eine vielseitige Dünnschichtabscheidungstechnik, die in der Halbleiterindustrie häufig zur Herstellung hochwertiger, konformer Dünnschichten auf verschiedenen Substraten eingesetzt wird. Dieser Prozess beinhaltet chemische Reaktionen gasförmiger Vorläufer......

Siliziumwafer

Siliziummaterial ist ein festes Material mit bestimmten elektrischen Halbleitereigenschaften und physikalischer Stabilität und bietet Substratunterstützung für den nachfolgenden Herstellungsprozess integrierter Schaltkreise. Es ist ein Schlüsselmaterial für siliziumbasierte integrierte Schaltkreise.......

SiC-Boote vs. Quarzboote: Aktuelle Nutzung und zukünftige Trends in der Halbleiterfertigung

Dieser Artikel befasst sich mit der Verwendung und der zukünftigen Entwicklung von Siliziumkarbid-Schiffen (SiC) im Vergleich zu Quarz-Schiffen in der Halbleiterindustrie und konzentriert sich dabei insbesondere auf deren Anwendungen in der Solarzellenherstellung.

SiC-Schneiden

Siliziumkarbid (SiC) erfreut sich in der Halbleiterindustrie aufgrund seiner hervorragenden physikalischen und chemischen Eigenschaften großer Beliebtheit. Allerdings stellen die hohe Härte und Sprödigkeit von SiC erhebliche Herausforderungen an die Verarbeitung.

Galliumnitrid-Epitaxiewafer: Eine Einführung in den Herstellungsprozess

Das epitaktische Waferwachstum mit Galliumnitrid (GaN) ist ein komplexer Prozess, bei dem häufig eine zweistufige Methode zum Einsatz kommt. Dieses Verfahren umfasst mehrere kritische Schritte, darunter Hochtemperaturbacken, Pufferschichtwachstum, Rekristallisation und Glühen. Durch die sorgfältige ......

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