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Verarbeitung von SiC-Ingots

Als Vertreter der Halbleitermaterialien der dritten Generation verfügt Siliziumkarbid (SiC) über eine große Bandlücke, eine hohe Wärmeleitfähigkeit, ein starkes elektrisches Durchbruchfeld und eine hohe Elektronenmobilität, was es zu einem idealen Material für Hochspannungs-, Hochfrequenz- und Hochl......

Die Einführung in drei Arten von Oxidationsprozessen

Unter Oxidationsprozess versteht man den Prozess der Bereitstellung von Oxidationsmitteln (wie Sauerstoff, Wasserdampf) und thermischer Energie auf Siliziumwafern, wodurch eine chemische Reaktion zwischen Silizium und den Oxidationsmitteln zur Bildung eines schützenden Siliziumdioxidfilms (SiO₂) ent......

Was ist Wafer-Bonding-Technologie?

Wafer-Bonding ist eine wichtige Technologie in der Halbleiterfertigung. Es nutzt physikalische oder chemische Methoden, um zwei glatte und saubere Wafer miteinander zu verbinden, um bestimmte Funktionen zu erfüllen oder den Halbleiterherstellungsprozess zu unterstützen. Es handelt sich um eine T......

Duschköpfe in Radierung

Duschköpfe aus Siliziumkarbid (SiC) sind Schlüsselkomponenten in Halbleiterfertigungsanlagen und spielen eine entscheidende Rolle in fortschrittlichen Prozessen wie der chemischen Gasphasenabscheidung (CVD) und der Atomlagenabscheidung (ALD).

Was ist rekristallisierte Siliziumkarbidkeramik?

Rekristallisiertes Siliziumkarbid ist eine Hochleistungskeramik, die durch die Kombination von SiC-Partikeln durch einen Verdampfungs-Kondensations-Mechanismus entsteht, um einen starken Festphasen-Sinterkörper zu bilden. Das bemerkenswerteste Merkmal ist, dass keine Sinterhilfsmittel zugesetzt werd......

Was sind Ringe in der Radierung?

Bei der Chipherstellung sind Fotolithographie und Ätzen zwei eng miteinander verbundene Schritte. Der Fotolithographie geht das Ätzen voraus, bei dem das Schaltkreismuster mithilfe von Fotolack auf dem Wafer entwickelt wird. Durch das Ätzen werden dann die nicht vom Fotolack bedeckten Filmschichten ......

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