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Oxidationsprozess

Der grundlegendste Schritt aller Prozesse ist der Oxidationsprozess. Beim Oxidationsprozess wird der Siliziumwafer für eine Hochtemperatur-Wärmebehandlung (800–1200 °C) in eine Atmosphäre aus Oxidationsmitteln wie Sauerstoff oder Wasserdampf gebracht. Auf der Oberfläche des Siliziumwafers kommt es z......

Warum wächst die Epitaxie von Galliumnitrid (GaN) nicht auf einem GaN-Substrat?

Das Wachstum der GaN-Epitaxie auf einem GaN-Substrat stellt trotz der im Vergleich zu Silizium überlegenen Eigenschaften des Materials eine einzigartige Herausforderung dar. Die GaN-Epitaxie bietet erhebliche Vorteile hinsichtlich der Bandlückenbreite, der Wärmeleitfähigkeit und des elektrischen Dur......

So führen Sie den CMP-Prozess durch

Bei der Herstellung von Siliziumwafern muss der Kristallstab, nachdem er in Siliziumwafer geschnitten wurde, poliert und gereinigt werden, um einen einkristallinen Siliziumwafer wie einen Spiegel zu erhalten.

Was ist ein CMP-Prozess?

In der Halbleiterfertigung wird üblicherweise die Ebenheit auf atomarer Ebene verwendet, um die globale Ebenheit des Wafers in der Einheit Nanometer (nm) zu beschreiben.

Was sind die Vor- und Nachteile von Trockenätzen und Nassätzen?

Ätzen ist ein wesentlicher Prozess in der Halbleiterfertigung. Dieser Prozess kann in zwei Typen eingeteilt werden: Trockenätzen und Nassätzen. Jede Technik hat ihre eigenen Vorteile und Grenzen, weshalb es wichtig ist, die Unterschiede zwischen ihnen zu verstehen. Wie wählt man also die beste Ätzme......

Kernmaterial für SiC-Wachstum: Tantalcarbid-Beschichtung

Die aktuellen Halbleiter der dritten Generation basieren hauptsächlich auf Siliziumkarbid, wobei Substrate 47 % der Gerätekosten ausmachen und Epitaxie 23 %, also insgesamt etwa 70 %, ausmacht und den wichtigsten Teil der SiC-Geräteherstellungsindustrie darstellt.

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