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Einführung der Kerntechnologie des Graphitboots

Graphite Boat steht in seiner Branche an der Spitze der technologischen Innovation und bietet eine Reihe bahnbrechender Fortschritte zur Verbesserung von Leistung, Reinheit und Lebensdauer. Im Folgenden befassen wir uns mit den Kerntechnologien, die die Exzellenz von Graphitbooten ausmachen:

Poröser Graphit für hochwertiges SiC-Kristallwachstum durch PVT-Methode

Siliziumkarbid (SiC) hat sich zu einem Schlüsselmaterial auf dem Gebiet der Halbleitertechnologie entwickelt und bietet außergewöhnliche Eigenschaften, die es für verschiedene elektronische und optoelektronische Anwendungen äußerst wünschenswert machen. Die Herstellung hochwertiger SiC-Einkristalle ......

3 Methoden der Graphitformung

Die vier Hauptformverfahren für das Graphitformen sind: Extrusionsformen, Formen, Vibrationsformen und isostatisches Formen. Die meisten gängigen Kohlenstoff-/Graphitmaterialien auf dem Markt werden durch Heißextrusion und Formen (kalt oder heiß) geformt, wobei isostatisches Formen eine Methode mit ......

Was ist isostatischer Graphit?

Spezialgraphit ist Graphit mit einem Kohlenstoffmassenanteil von mehr als 99,99 %, auch bekannt als „Three High Graphite“ (hohe Festigkeit, hohe Dichte, hohe Reinheit). Es zeichnet sich durch hohe Festigkeit, hohe Dichte, hohe Reinheit, hohe chemische Stabilität, hohe thermische und elektrische Leit......

Einführung des physikalischen Dampftransports (PVT)

Aufgrund der Eigenschaften von SiC ist das Einkristallwachstum schwieriger. Aufgrund des Fehlens einer Si:C=1:1-Flüssigphase bei Atmosphärendruck kann der ausgereiftere Wachstumsprozess, der von der Hauptströmung der Halbleiterindustrie übernommen wird, nicht zum Züchten der ausgereifteren Wachstums......

Veröffentlichung von 850-V-Hochleistungs-GaN-HEMT-Epitaxieprodukten

Im November 2023 brachte Semicorex 850-V-GaN-on-Si-Epitaxieprodukte für Hochspannungs- und Hochstrom-HEMT-Leistungsgeräteanwendungen auf den Markt. Im Vergleich zu anderen Substraten für HMET-Leistungsgeräte ermöglicht GaN-on-Si größere Wafergrößen und vielfältigere Anwendungen und kann außerdem sch......

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