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SiC-Schneiden

Siliziumkarbid (SiC) erfreut sich in der Halbleiterindustrie aufgrund seiner hervorragenden physikalischen und chemischen Eigenschaften großer Beliebtheit. Allerdings stellen die hohe Härte und Sprödigkeit von SiC erhebliche Herausforderungen an die Verarbeitung.

Galliumnitrid-Epitaxiewafer: Eine Einführung in den Herstellungsprozess

Das epitaktische Waferwachstum mit Galliumnitrid (GaN) ist ein komplexer Prozess, bei dem häufig eine zweistufige Methode zum Einsatz kommt. Dieses Verfahren umfasst mehrere kritische Schritte, darunter Hochtemperaturbacken, Pufferschichtwachstum, Rekristallisation und Glühen. Durch die sorgfältige ......

Was ist der Unterschied zwischen epitaktischen und diffusen Wafern?

Sowohl epitaktische als auch diffundierte Wafer sind wesentliche Materialien in der Halbleiterfertigung, unterscheiden sich jedoch erheblich in ihren Herstellungsprozessen und Zielanwendungen. Dieser Artikel befasst sich mit den wichtigsten Unterschieden zwischen diesen Wafertypen.

Prozessablauf für Siliziumkarbid-Substratkerne

Siliziumkarbidsubstrat ist ein Verbindungshalbleiter-Einkristallmaterial, das aus zwei Elementen besteht: Kohlenstoff und Silizium. Es zeichnet sich durch eine große Bandlücke, eine hohe Wärmeleitfähigkeit, eine hohe kritische Durchschlagsfeldstärke und eine hohe Elektronensättigungsdriftrate aus.

Die entscheidende Rolle von SiC-Substraten und Kristallwachstum in der Halbleiterindustrie

Innerhalb der Siliziumkarbid-Industriekette (SiC) haben Substratlieferanten einen erheblichen Einfluss, vor allem aufgrund der Wertverteilung. SiC-Substrate machen 47 % des Gesamtwerts aus, gefolgt von Epitaxieschichten mit 23 %, während Gerätedesign und -herstellung die restlichen 30 % ausmachen. D......

Anwendung von SiC und GaN in Elektrofahrzeugen

SiC-MOSFETs sind Transistoren, die eine hohe Leistungsdichte, einen verbesserten Wirkungsgrad und niedrige Ausfallraten bei hohen Temperaturen bieten. Diese Vorteile von SiC-MOSFETs bringen zahlreiche Vorteile für Elektrofahrzeuge (EVs), einschließlich einer größeren Reichweite, schnellerem Laden un......

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