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GaN vs. SiC

Derzeit werden mehrere Materialien untersucht, von denen Siliziumkarbid als eines der vielversprechendsten gilt. Ähnlich wie GaN zeichnet es sich im Vergleich zu Silizium durch höhere Betriebsspannungen, höhere Durchbruchspannungen und eine bessere Leitfähigkeit aus. Darüber hinaus kann Siliziumkarb......

Vor- und Nachteile von Galliumnitrid (GaN)-Anwendungen

Während die Welt nach neuen Möglichkeiten im Halbleiterbereich sucht, gilt Galliumnitrid weiterhin als potenzieller Kandidat für zukünftige Energie- und HF-Anwendungen. Doch trotz all der Vorteile, die es bietet, steht es immer noch vor einer großen Herausforderung; Es gibt keine P-Typ-Produkte (P-T......

Anwendungen von Galliumoxid-Wafern

Galliumoxid (Ga2O3) hat sich als vielversprechendes Material für verschiedene Anwendungen erwiesen, insbesondere in Leistungsgeräten und Hochfrequenzgeräten (RF). In diesem Artikel untersuchen wir die wichtigsten Chancen und Zielmärkte für Galliumoxid in diesen Bereichen.

Einführung von Galliumoxid (Ga2O3)

Galliumoxid (Ga2O3) hat als „Halbleitermaterial mit extrem großer Bandlücke“ anhaltende Aufmerksamkeit erregt. Halbleiter mit extrem großer Bandlücke fallen in die Kategorie „Halbleiter der vierten Generation“, und im Vergleich zu Halbleitern der dritten Generation wie Siliziumkarbid (SiC) und Galli......

Was ist Graphitieren?

Beim Graphitisieren handelt es sich um den Prozess der Umwandlung von nicht-graphitischer Holzkohle in graphitische Holzkohle mit dreidimensionaler, regelmäßig geordneter Graphitstruktur durch Hochtemperatur-Wärmebehandlung, wobei die elektrische Widerstandswärme vollständig genutzt wird, um das Hol......

Beschichtung im thermischen Bereich von Halbleiter-Silizium-Einkristallen

Die beschichteten Teile im Halbleiter-Silizium-Einkristall-Heißfeld werden im Allgemeinen durch CVD-Verfahren beschichtet, einschließlich pyrolytischer Kohlenstoffbeschichtung, Siliziumkarbid-Beschichtung und Tantalkarbid-Beschichtung, jeweils mit unterschiedlichen Eigenschaften.

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