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Branchen-News

Einführung in Halbleiter der dritten Generation: GaN und verwandte Epitaxietechnologien

GaN-Materialien erlangten nach der Verleihung des Nobelpreises für Physik 2014 für blaue LEDs an Bedeutung. GaN-basierte Leistungsverstärker und HF-Geräte gelangten zunächst durch Schnellladeanwendungen in der Unterhaltungselektronik in den Fokus der Öffentlichkeit, haben sich aber in aller Stille a......

Substrat vs. Epitaxie: Schlüsselrollen in der Halbleiterfertigung

Im Bereich der Halbleitertechnik und Mikroelektronik sind die Konzepte Substrate und Epitaxie von großer Bedeutung. Sie spielen eine entscheidende Rolle im Herstellungsprozess von Halbleiterbauelementen. Dieser Artikel befasst sich mit den Unterschieden zwischen Halbleitersubstraten und Epitaxie un......

Hauptschritte bei der SiC-Substratverarbeitung

Die Verarbeitung von 4H-SiC-Substrat umfasst hauptsächlich die folgenden Schritte:

Schlüsselparameter von Siliziumkarbid (SiC)-Substraten

Der Produktionsprozess von Siliziumkarbid (SiC) umfasst die Vorbereitung des Substrats und die Epitaxie auf der Materialseite, gefolgt von Chip-Design und -Herstellung, Geräteverpackung und schließlich dem Vertrieb an nachgelagerte Anwendungsmärkte. Unter diesen Phasen ist die Verarbeitung des Subst......

Siliziumkarbid-Anwendungen

Siliziumkarbid findet zahlreiche Anwendungen in aufstrebenden und traditionellen Industrien. Derzeit hat der globale Halbleitermarkt 100 Milliarden Yuan überschritten. Es wird erwartet, dass der weltweite Umsatz mit Halbleiterfertigungsmaterialien bis 2025 39,5 Milliarden US-Dollar erreichen wird, w......

Einführung in den Siliziumkarbid-Ionenimplantations- und Temperprozess

Bei der herkömmlichen Herstellung von Silizium-Leistungsbauelementen sind Hochtemperaturdiffusion und Ionenimplantation die wichtigsten Methoden zur Dotierstoffkontrolle, jede mit ihren Vor- und Nachteilen. Typischerweise zeichnet sich die Hochtemperaturdiffusion durch ihre Einfachheit, Kosteneffizi......

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