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Branchen-News
SiC-Epitaxie
Es gibt zwei Arten der Epitaxie: homogene und heterogene. Um SiC-Geräte mit spezifischem Widerstand und anderen Parametern für verschiedene Anwendungen herzustellen, muss das Substrat die Bedingungen der Epitaxie erfüllen, bevor mit der Produktion begonnen werden kann. Die Qualität der Epitaxie beei......
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Trockenätzen vs. Nassätzen
Bei der Halbleiterfertigung ist das Ätzen neben der Fotolithographie und der Dünnschichtabscheidung einer der Hauptschritte. Dabei werden unerwünschte Materialien mithilfe chemischer oder physikalischer Methoden von der Oberfläche eines Wafers entfernt. Dieser Schritt wird nach der Beschichtung, Fot......
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Versetzung in SiC-Kristallen
SiC-Substrat kann mikroskopische Defekte aufweisen, wie z. B. Threading Screw Dislocation (TSD), Threading Edge Dislocation (TED), Base Plane Dislocation (BPD) und andere. Diese Defekte werden durch Abweichungen in der Anordnung der Atome auf atomarer Ebene verursacht.
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Über Defekte in SiC-Kristallen – Micropipe
SiC-Substrat kann mikroskopische Defekte aufweisen, wie z. B. Threading Screw Dislocation (TSD), Threading Edge Dislocation (TED), Base Plane Dislocation (BPD) und andere. Diese Defekte werden durch Abweichungen in der Anordnung der Atome auf atomarer Ebene verursacht. SiC-Kristalle können auch makr......
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