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Branchen-News

Dopingkontrolle beim Sublimations-SiC-Wachstum

Siliziumkarbid (SiC) spielt aufgrund seiner hervorragenden elektrischen und thermischen Eigenschaften eine wichtige Rolle bei der Herstellung von Leistungselektronik und Hochfrequenzgeräten. Die Qualität und der Dotierungsgrad von SiC-Kristallen wirken sich direkt auf die Leistung des Geräts aus. Da......

MOCVD kennen

MOCVD ist eine neue Dampfphasen-Epitaxie-Wachstumstechnologie, die auf der Grundlage des Dampfphasen-Epitaxie-Wachstums (VPE) entwickelt wurde.

Anwendungen von TaC-beschichteten Graphitkomponenten

Bei der Züchtung von SiC- und AlN-Einkristallen mithilfe der physikalischen Dampftransportmethode (PVT) spielen Komponenten wie der Tiegel, der Impfkristallhalter und der Führungsring eine entscheidende Rolle. Während des Herstellungsprozesses von SiC befindet sich der Impfkristall in einem relativ ......

Prozess des Substratschneidens und -schleifens

Das SiC-Substratmaterial ist der Kern des SiC-Chips. Der Herstellungsprozess des Substrats erfolgt wie folgt: Nach Erhalt des SiC-Kristallbarrens durch Einkristallwachstum; Anschließend erfordert die Vorbereitung des SiC-Substrats ein Glätten, Abrunden, Schneiden und Schleifen (Ausdünnen). mechanisc......

Unterschiede zwischen SiC-Kristallen mit unterschiedlichen Strukturen

Siliziumkarbid (SiC) ist ein Material mit außergewöhnlicher thermischer, physikalischer und chemischer Stabilität und weist Eigenschaften auf, die über die herkömmlicher Materialien hinausgehen. Seine Wärmeleitfähigkeit beträgt erstaunliche 84 W/(m·K) und ist damit nicht nur höher als die von Kupfer......

Was ist eine TaC-Beschichtung auf Graphit?

Im sich schnell entwickelnden Bereich der Halbleiterfertigung können selbst kleinste Verbesserungen einen großen Unterschied machen, wenn es darum geht, optimale Leistung, Haltbarkeit und Effizienz zu erreichen. Ein Fortschritt, der in der Branche für großes Aufsehen sorgt, ist die Verwendung einer ......

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