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Branchen-News

Verfahren zur Herstellung von SiC-Pulver

Siliziumkarbid (SiC) ist ein anorganischer Stoff. Die Menge an natürlich vorkommendem Siliziumkarbid ist sehr gering. Es ist ein seltenes Mineral und wird Moissanit genannt. Siliziumkarbid, das in der industriellen Produktion verwendet wird, wird größtenteils künstlich synthetisiert.

Epitaxieschichten: Die Grundlage fortschrittlicher Halbleiterbauelemente

In der Halbleiterindustrie spielen Epitaxieschichten eine entscheidende Rolle, indem sie auf einem Wafersubstrat spezifische einkristalline Dünnfilme bilden, die zusammenfassend als Epitaxiewafer bezeichnet werden. Insbesondere epitaktische Schichten aus Siliziumkarbid (SiC), die auf leitfähigen SiC......

Die entscheidende Rolle epitaktischer Schichten in Halbleiterbauelementen

Unter epitaktischem Wachstum versteht man den Prozess des Aufwachsens einer kristallographisch wohlgeordneten monokristallinen Schicht auf einem Substrat. Im Allgemeinen umfasst das epitaktische Wachstum die Züchtung einer Kristallschicht auf einem einkristallinen Substrat, wobei die gewachsene Schi......

GaN kennen

In letzter Zeit widmet die Halbleiterindustrie der Galliumnitrid-Technologie (GaN) immer mehr Aufmerksamkeit. Aufgrund seiner hervorragenden elektronischen Eigenschaften finden Galliumnitrid-Geräte wichtige Anwendungen in vielen High-Tech-Bereichen:

Der Aufschwung und die Aussichten des Marktes für Siliziumkarbid (SiC)-Leistungsgeräte

Da die weltweite Akzeptanz von Elektrofahrzeugen allmählich zunimmt, wird Siliziumkarbid (SiC) im kommenden Jahrzehnt neue Wachstumschancen eröffnen. Es wird erwartet, dass sich Hersteller von Leistungshalbleitern und Betreiber in der Automobilindustrie aktiver am Aufbau der Wertschöpfungskette dies......

Vorteile von SiC in der Elektrofahrzeugindustrie

Als Halbleitermaterial mit großer Bandlücke (WBG) verfügt SiC aufgrund seiner größeren Energiedifferenz über bessere thermische und elektronische Eigenschaften im Vergleich zu herkömmlichem Si. Diese Funktion ermöglicht den Betrieb von Leistungsgeräten bei höheren Temperaturen, Frequenzen und Spannu......

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