Den Forschungsergebnissen zufolge kann die TaC-Beschichtung als Schutz- und Isolationsschicht fungieren, um die Lebensdauer von Graphitkomponenten zu verlängern, die radiale Temperaturgleichmäßigkeit zu verbessern, die SiC-Sublimationsstöchiometrie aufrechtzuerhalten, die Migration von Verunreinigun......
WeiterlesenUnter chemischer Gasphasenabscheidung (CVD) versteht man das Einbringen von zwei oder mehr gasförmigen Rohmaterialien in eine Reaktionskammer unter Vakuum- und Hochtemperaturbedingungen, wo die gasförmigen Rohmaterialien miteinander reagieren und ein neues Material bilden, das auf der Waferoberfläch......
WeiterlesenBis 2027 wird die Photovoltaik (PV) die Kohle als weltweit größte installierte Kapazität überholen. Die kumulierte installierte Leistung von Solar-PV verdreifacht sich unserer Prognose zufolge nahezu, wächst in diesem Zeitraum um fast 1.500 Gigawatt und wird bis 2026 Erdgas und bis 2027 die von Kohl......
WeiterlesenDie Anwendungsbereiche von SiC-basiertem und Si-basiertem GaN sind nicht strikt getrennt. Bei GaN-auf-SiC-Geräten sind die Kosten des SiC-Substrats relativ hoch, und mit der zunehmenden Reife der SiC-Langkristalltechnologie wird erwartet, dass die Kosten des Geräts weiter sinken und es in Leistungsg......
WeiterlesenDie Wärmebehandlung ist einer der wesentlichen und wichtigen Prozesse im Halbleiterprozess. Ein thermischer Prozess ist der Prozess, bei dem Wärmeenergie auf einen Wafer angewendet wird, indem dieser in eine mit einem bestimmten Gas gefüllte Umgebung gebracht wird, einschließlich Oxidation/Diffusion......
WeiterlesenTaiwans Power Semiconductor Manufacturing Corporation (PSMC) hat Pläne zum Bau einer 300-mm-Wafer-Fabrik in Japan in Zusammenarbeit mit SBI Holdings angekündigt. Der Zweck dieser Zusammenarbeit besteht darin, Japans heimische IC-Lieferkette (Integrated Circuit) zu stärken, mit besonderem Schwerpunkt......
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