Siliziumkarbid (SiC)-Keramik ist eine Art fortschrittliches Keramikmaterial, das für seine außergewöhnlichen Eigenschaften und sein breites Anwendungsspektrum bekannt ist. Es besteht aus Silizium- (Si) und Kohlenstoffatomen (C), die in einer Kristallgitterstruktur angeordnet sind, was zu einem harte......
WeiterlesenEin Siliziumkarbidwafer (SiC) vom P-Typ ist ein Halbleitersubstrat, das mit Verunreinigungen dotiert ist, um eine (positive) Leitfähigkeit vom P-Typ zu erzeugen. Siliziumkarbid ist ein Halbleitermaterial mit großer Bandlücke, das außergewöhnliche elektrische und thermische Eigenschaften bietet und s......
WeiterlesenDer Graphitsuszeptor ist einer der wesentlichen Bestandteile der MOCVD-Ausrüstung, er dient als Träger und Heizer des Wafersubstrats. Seine Eigenschaften der thermischen Stabilität und thermischen Gleichmäßigkeit spielen eine entscheidende Rolle für die Qualität des Wafer-Epitaxiewachstums, das dire......
WeiterlesenIm Hochspannungsbereich, insbesondere bei Hochspannungsgeräten über 20.000 V, steht die SiC-Epitaxietechnologie noch vor mehreren Herausforderungen. Eine der Hauptschwierigkeiten besteht darin, eine hohe Gleichmäßigkeit, Dicke und Dotierungskonzentration in der Epitaxieschicht zu erreichen. Für die ......
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