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Branchen-News

Schwierigkeiten bei der Vorbereitung von SiC-Substraten

Der derzeit wichtigste Richtungstrend bei der Substratentwicklung ist die Erweiterung des Durchmessers. Die 6-Zoll-Massenproduktionslinie auf dem globalen SiC-Markt ist ausgereift und führende Unternehmen sind in den 8-Zoll-Markt eingestiegen.

Siliziumkarbid-Substrat

Der Prozess des Siliziumkarbid-Substrats ist komplex und schwierig herzustellen. SiC-Substrate nehmen mit einem Anteil von 47 % den Hauptwert der Industriekette ein. Es wird erwartet, dass sie mit der Erweiterung der Produktionskapazität und der Verbesserung der Ausbeute in Zukunft auf 30 % sinken w......

Verständnis der Trockenätztechnologie in der Halbleiterindustrie

Derzeit verwenden viele Halbleiterbauelemente Mesa-Bauelementstrukturen, die überwiegend durch zwei Arten des Ätzens erzeugt werden: Nassätzen und Trockenätzen. Während das einfache und schnelle Nassätzen eine wichtige Rolle bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen spielt, weist es inhärente N......

Einführung in Siliziumkarbid-Leistungsgeräte

Leistungsbauelemente aus Siliziumkarbid (SiC) sind Halbleiterbauelemente aus Siliziumkarbidmaterialien, die hauptsächlich in elektronischen Hochfrequenz-, Hochtemperatur-, Hochspannungs- und Hochleistungsanwendungen eingesetzt werden. Im Vergleich zu herkömmlichen Leistungsbauelementen auf Siliziumb......

Siliziumkarbid-Wafer-Epitaxie-Technologie

Siliziumkarbid verwendet im Allgemeinen die PVT-Methode mit einer Temperatur von mehr als 2000 Grad, einem langen Verarbeitungszyklus und einer geringen Leistung, sodass die Kosten für Siliziumkarbid-Substrate sehr hoch sind.

Schwierigkeiten bei der GaN-Vorbereitung

Als Halbleitermaterial der dritten Generation wird Galliumnitrid oft mit Siliziumkarbid verglichen. Galliumnitrid demonstriert immer noch seine Überlegenheit mit seiner großen Bandlücke, der hohen Durchbruchspannung, der hohen Wärmeleitfähigkeit, der hohen Sättigungselektronendriftgeschwindigkeit un......

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