Unter epitaktischem Wachstum versteht man den Prozess des Aufwachsens einer kristallographisch wohlgeordneten monokristallinen Schicht auf einem Substrat. Im Allgemeinen umfasst das epitaktische Wachstum die Züchtung einer Kristallschicht auf einem einkristallinen Substrat, wobei die gewachsene Schi......
WeiterlesenDa die weltweite Akzeptanz von Elektrofahrzeugen allmählich zunimmt, wird Siliziumkarbid (SiC) im kommenden Jahrzehnt neue Wachstumschancen eröffnen. Es wird erwartet, dass sich Hersteller von Leistungshalbleitern und Betreiber in der Automobilindustrie aktiver am Aufbau der Wertschöpfungskette dies......
WeiterlesenAls Halbleitermaterial mit großer Bandlücke (WBG) verfügt SiC aufgrund seiner größeren Energiedifferenz über bessere thermische und elektronische Eigenschaften im Vergleich zu herkömmlichem Si. Diese Funktion ermöglicht den Betrieb von Leistungsgeräten bei höheren Temperaturen, Frequenzen und Spannu......
WeiterlesenSiliziumkarbid (SiC) spielt aufgrund seiner hervorragenden elektrischen und thermischen Eigenschaften eine wichtige Rolle bei der Herstellung von Leistungselektronik und Hochfrequenzgeräten. Die Qualität und der Dotierungsgrad von SiC-Kristallen wirken sich direkt auf die Leistung des Geräts aus. Da......
Weiterlesen