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Branchen-News

Heteroepitaxie von 3C-SiC: Ein Überblick

Die Entwicklung von 3C-SiC, einem bedeutenden Polytyp von Siliziumkarbid, spiegelt den kontinuierlichen Fortschritt der Halbleitermaterialwissenschaft wider. In den 1980er Jahren haben Nishino et al. erzielten erstmals einen 4 μm dicken 3C-SiC-Film auf einem Siliziumsubstrat durch chemische Gasphase......

Monokristallines Silizium vs. polykristallines Silizium

Einkristallines Silizium und polykristallines Silizium haben jeweils ihre eigenen einzigartigen Vorteile und Anwendungsszenarien. Einkristallines Silizium eignet sich aufgrund seiner hervorragenden elektrischen und mechanischen Eigenschaften für leistungsstarke elektronische Produkte und Mikroelektr......

Substrat und Epitaxie

Im Prozess der Wafervorbereitung gibt es zwei Kernglieder: Zum einen die Vorbereitung des Substrats und zum anderen die Durchführung des Epitaxieprozesses. Das Substrat, ein Wafer, der sorgfältig aus Halbleiter-Einkristallmaterial hergestellt wird, kann direkt in den Wafer-Herstellungsprozess als Gr......

Siliziumwafer

Siliziummaterial ist ein festes Material mit bestimmten elektrischen Halbleitereigenschaften und physikalischer Stabilität und bietet Substratunterstützung für den nachfolgenden Herstellungsprozess integrierter Schaltkreise. Es ist ein Schlüsselmaterial für siliziumbasierte integrierte Schaltkreise.......

SiC-Schneiden

Siliziumkarbid (SiC) erfreut sich in der Halbleiterindustrie aufgrund seiner hervorragenden physikalischen und chemischen Eigenschaften großer Beliebtheit. Allerdings stellen die hohe Härte und Sprödigkeit von SiC erhebliche Herausforderungen an die Verarbeitung.

Prozessablauf für Siliziumkarbid-Substratkerne

Siliziumkarbidsubstrat ist ein Verbindungshalbleiter-Einkristallmaterial, das aus zwei Elementen besteht: Kohlenstoff und Silizium. Es zeichnet sich durch eine große Bandlücke, eine hohe Wärmeleitfähigkeit, eine hohe kritische Durchschlagsfeldstärke und eine hohe Elektronensättigungsdriftrate aus.

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