Die dritte Generation von Halbleitermaterialien AlN gehört zu den Halbleitern mit direkter Bandlücke. Seine Bandbreite von 6,2 eV mit hoher Wärmeleitfähigkeit, spezifischem Widerstand, Durchbruchfeldstärke sowie ausgezeichneter chemischer und thermischer Stabilität ist nicht nur ein wichtiges Materi......
WeiterlesenIm Bereich der Herstellung von Halbleiterbauelementen ist die präzise Kontrolle des Kristallwachstums von größter Bedeutung für die Herstellung hochwertiger und zuverlässiger Bauelemente. Eine Technik, die in diesem Bereich eine entscheidende Rolle gespielt hat, ist die Flüssigphasenepitaxie (LPE).
WeiterlesenDie Entwicklung leistungsstarker blauer und UV-LEDs hat die Entwicklung vollfarbiger LED-TV-Displays sowie weißer LED-Automobil- und Haushaltsbeleuchtung ermöglicht. Diese LEDs basieren auf Galliumnitrid, das im MOCVD-Verfahren auf Substratwafern abgeschieden wird, die von CVD-SiC-beschichteten Grap......
WeiterlesenEin Diffusionsofen ist ein spezielles Gerät, mit dem Verunreinigungen kontrolliert in Halbleiterwafer eingebracht werden. Diese als Dotierstoffe bezeichneten Verunreinigungen verändern die elektrischen Eigenschaften von Halbleitern und ermöglichen so die Herstellung verschiedener Arten elektronische......
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