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Branchen-News

Methode des GaN-Kristallwachstums

Bei der Herstellung großformatiger GaN-Einkristallsubstrate ist HVPE derzeit die beste Wahl für die Kommerzialisierung. Allerdings kann die Rückträgerkonzentration des gewachsenen GaN nicht genau gesteuert werden.

GaN-Einkristall

Die Halbleitertechnologie ist das Rückgrat der modernen Zivilisation und hat die Art und Weise, wie wir leben, arbeiten und mit der Welt interagieren, grundlegend verändert. Es hat beispiellose Fortschritte in verschiedenen Bereichen ermöglicht, darunter Informationstechnologie, Energie, Telekommuni......

SiC-Keramik: Das unverzichtbare Material für hochpräzise Komponenten in der Halbleiterfertigung

Die Halbleiterfertigung, der Eckpfeiler des modernen technologischen Fortschritts, ist ständig auf der Suche nach kleineren, schnelleren und effizienteren integrierten Schaltkreisen. Dieses unermüdliche Streben treibt den Bedarf an immer präziseren und ausgefeilteren Herstellungsprozessen voran, bei......

Was ist der Graphitisierungsgrad?

Der Grad der Graphitisierung ist ein wesentliches Maß zur Beurteilung, wie nah Kohlenstoffatome an der Bildung einer dicht gepackten hexagonalen Graphitkristallstruktur sind.

Prozess des Dünnschichtwachstums

Gängige Dünnfilme werden hauptsächlich in drei Kategorien unterteilt: Halbleiterdünnfilme, dielektrische Dünnfilme und Metall/Metallverbindungsdünnfilme.

Heteroepitaxie von 3C-SiC: Ein Überblick

Die Entwicklung von 3C-SiC, einem bedeutenden Polytyp von Siliziumkarbid, spiegelt den kontinuierlichen Fortschritt der Halbleitermaterialwissenschaft wider. In den 1980er Jahren haben Nishino et al. erzielten erstmals einen 4 μm dicken 3C-SiC-Film auf einem Siliziumsubstrat durch chemische Gasphase......

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