2025-08-20
Hinter jedem Hochtemperaturprozess in der Herstellung von Wafer steht ein stiller, aber wichtiger Spieler: das Waferboot. Als Kernträger, der den Siliziumwafer während der Waferverarbeitung direkt kontaktiert, hängen sein Material, seine Stabilität und seine Sauberkeit direkt mit der endgültigen Chipausbeute und der Prozessstabilität zusammen. Unter verschiedenen Trägermaterialien,Siliziumkarbid (sic)Boote ersetzen nach und nach herkömmliche Quartz-Lösungen und werden zur bevorzugten Lösung für fortschrittliche Prozesse und High-End-Geräte.
Warum SIC -Waferboote?
Mit der Weiterentwicklung von Prozessknoten unter 7 nm und der Ausdehnung von Hochtemperaturprozessfenstern kämpfen herkömmliche Quarzwaferboote zunehmend im Hinblick auf die thermische Stabilität, die Partikelkontrolle und die Lebensdauer des Lebens.
Silizium -Carbid -Waferboote gewinnen jedoch aufgrund der folgenden Vorteile allmählich an Bedeutung:
1. Stabil bei hohen Temperaturen:
Sie bieten langfristige Betriebstemperaturen von 1350-1600 ° C, wodurch Mainstream-Prozesse wie CVD, Diffusion und Tempern leicht behandelt werden. Selbst eine kurze Exposition gegenüber Temperaturen von 1800 ° C zeigt keine Erweihung oder Verformung, was sie für höhere Geräte wie Einzelkristall-Silizium-Carbidöfen geeignet ist.
2. Erweiterung und hohe thermische Schockstabilität:
Mit einem niedrigen thermischen Expansionskoeffizienten können sie schnelle Temperaturerhöhungen standhalten und abnimmt, wodurch das durch thermischen Stress verursachte strukturelle Risse minimiert wird. Sie erhalten eine hervorragende Morphologie und Leistung in hochtemperaturen, komplexen Atmosphären (wie Wasserstoff, Stickstoff, Ammoniak und Fluoriden).
3.Clean -Oberfläche und extrem geringe Kontamination:
Hohe Materialreinheit mit minimalen Metallverunreinigungen. Geringe Oberflächenrauheit, die sekundäre Kontamination von Siliziumwafern verhindert; Eine hervorragende Kontrolle der Oberflächenrauheit mit RA unter 0,1 μm unterdrückt Partikelabschütteln und erfüllt die Reinraumanforderungen fortschrittlicher Prozesse.
4. Einteilige Form, präzisionsbedingte Waferbootstrukturen können direkt durch geschmirblos gebildet werden3D -Druckdie Notwendigkeit von Schimmelpilzen beseitigen und die Anpassungseffizienz erheblich verbessern; In Kombination mit fünfachsiger Bearbeitungs- und Drahtschneidertechnologie sind die Zähne des Bootes grellfrei, wodurch Kratzer an den Wafern verhindert und eine reibungslose automatische Handhabung gewährleistet sind.
5. hohe Stärke und langes Leben:
Ein einzelnes Boot verfügt über eine hohe Tragkraft und kann gleichzeitig Dutzende bis Hunderte von 12-Zoll-Wafern unterstützen. Im Vergleich zu herkömmlichen Quarzbooten dauert die durchschnittliche Lebensdauer des Bootes 5-10-mal länger und verringert die Umschaltfrequenz der Ausrüstung und die Gesamtkosten des Eigentums.
Anwendungsszenario
Die breite Anpassungsfähigkeit vonSiliziumkarbidwaferbooteErweitert ihre Anwendung über das Semiconductor-Feld hinaus auf eine Vielzahl von Hochtemperaturprozessszenarien, einschließlich neuer Energiematerialien, LED-Fertigung und Kernenergieforschung.
Halbleiterindustrie
Es ist für Schlüsselprozesse wie Oxidation, Diffusion, CVD-Abscheid und Ionenimplantation geeignet, was es zu einem unverzichtbaren Hochtemperaturträger für Sub-7NM-Prozesslinien macht.
Photovoltaikindustrie
Bei aufstrebenden Batterietechnologien wie TopCon und HJT werden Waferboote in Hochtemperaturofenprozessen wie LPCVD und Tempern verwendet, wodurch die Energieeffizienz und die Umwandlungsraten verbessert werden.
Halbleiter der dritten Generation
Für Gan- und SIC -epitaxiale Wachstumsprozesse in LEDs unterstützen sie Saphir- oder Silizium -Carbid -Substrate. Sie halten korrosive Gase wie NH₃ und HCL wider und unterstützen die Herstellung von Hochfrequenz-Leistungsgeräten.
Neue Hochtemperaturplattform für Energiematerialien und Forschung
Unterstützt die Sinterreaktion von Lithiumbatterien -Kathodenmaterialien und die Wärmebehandlung von Materialien der Kernindustrie, die Wärmefestigkeit, Korrosionsbeständigkeit und Sauberkeit kombinieren.
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