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Branchen-News

Erzielung eines qualitativ hochwertigen SiC-Kristallwachstums durch Temperaturgradientenkontrolle in der anfänglichen Wachstumsphase

Siliziumkarbid (SiC) ist ein Halbleitermaterial mit großer Bandlücke, das in den letzten Jahren aufgrund seiner außergewöhnlichen Leistung bei Hochspannungs- und Hochtemperaturanwendungen große Aufmerksamkeit erregt hat. Diese Studie untersucht systematisch die verschiedenen Eigenschaften von SiC-Kr......

Was ist thermisches Tempern?

Der Glühprozess, auch Thermal Annealing genannt, ist ein entscheidender Schritt in der Halbleiterfertigung.

Warum Ultraschallreinigung in der Halbleiterfertigung einsetzen?

Beim Reinigen von Wafern werden üblicherweise Ultraschallreinigung und Megaschallreinigung eingesetzt, um Partikel von der Waferoberfläche zu entfernen.

Die Studie zur Verteilung des elektrischen Widerstands in 4H-SiC-Kristallen vom n-Typ

4H-SiC ist als Halbleitermaterial der dritten Generation für seine große Bandlücke, hohe Wärmeleitfähigkeit und hervorragende chemische und thermische Stabilität bekannt, was es für Hochleistungs- und Hochfrequenzanwendungen äußerst wertvoll macht.

Was ist ein Kristallwachstumsofensystem?

Der Einkristall-Züchtungsofen besteht aus sechs Schlüsselsystemen, die harmonisch zusammenarbeiten, um ein effizientes und qualitativ hochwertiges Kristallwachstum zu gewährleisten.

Infineon stellt den weltweit ersten 300-mm-Power-GaN-Wafer vor

Kürzlich gab Infineon Technologies die erfolgreiche Entwicklung der weltweit ersten 300-mm-Power-Galliumnitrid-Wafer-Technologie (GaN) bekannt.

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