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Einführung in Siliziumkarbid-Leistungsgeräte

Leistungsbauelemente aus Siliziumkarbid (SiC) sind Halbleiterbauelemente aus Siliziumkarbidmaterialien, die hauptsächlich in elektronischen Hochfrequenz-, Hochtemperatur-, Hochspannungs- und Hochleistungsanwendungen eingesetzt werden. Im Vergleich zu herkömmlichen Leistungsbauelementen auf Siliziumb......

Siliziumkarbid-Wafer-Epitaxie-Technologie

Siliziumkarbid verwendet im Allgemeinen die PVT-Methode mit einer Temperatur von mehr als 2000 Grad, einem langen Verarbeitungszyklus und einer geringen Leistung, sodass die Kosten für Siliziumkarbid-Substrate sehr hoch sind.

Eine kurze Geschichte von Siliziumkarbid und Anwendungen von Siliziumkarbid-Beschichtungen

Die Geschichte von Siliziumkarbid (SiC) reicht bis ins Jahr 1891 zurück, als Edward Goodrich Acheson es zufällig entdeckte, als er versuchte, künstliche Diamanten zu synthetisieren. Acheson erhitzte eine Mischung aus Ton (Aluminosilikat) und pulverisiertem Koks (Kohlenstoff) in einem Elektroofen. An......

Schwierigkeiten bei der GaN-Vorbereitung

Als Halbleitermaterial der dritten Generation wird Galliumnitrid oft mit Siliziumkarbid verglichen. Galliumnitrid demonstriert immer noch seine Überlegenheit mit seiner großen Bandlücke, der hohen Durchbruchspannung, der hohen Wärmeleitfähigkeit, der hohen Sättigungselektronendriftgeschwindigkeit un......

Einführung in Halbleiter der dritten Generation: GaN und verwandte Epitaxietechnologien

GaN-Materialien erlangten nach der Verleihung des Nobelpreises für Physik 2014 für blaue LEDs an Bedeutung. GaN-basierte Leistungsverstärker und HF-Geräte gelangten zunächst durch Schnellladeanwendungen in der Unterhaltungselektronik in den Fokus der Öffentlichkeit, haben sich aber in aller Stille a......

Substrat vs. Epitaxie: Schlüsselrollen in der Halbleiterfertigung

Im Bereich der Halbleitertechnik und Mikroelektronik sind die Konzepte Substrate und Epitaxie von großer Bedeutung. Sie spielen eine entscheidende Rolle im Herstellungsprozess von Halbleiterbauelementen. Dieser Artikel befasst sich mit den Unterschieden zwischen Halbleitersubstraten und Epitaxie un......

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