> Nachricht

Nachricht

Die Studie zur Verteilung des elektrischen Widerstands in 4H-SiC-Kristallen vom n-Typ

4H-SiC ist als Halbleitermaterial der dritten Generation für seine große Bandlücke, hohe Wärmeleitfähigkeit und hervorragende chemische und thermische Stabilität bekannt, was es für Hochleistungs- und Hochfrequenzanwendungen äußerst wertvoll macht.

Was ist ein Kristallwachstumsofensystem?

Der Einkristall-Züchtungsofen besteht aus sechs Schlüsselsystemen, die harmonisch zusammenarbeiten, um ein effizientes und qualitativ hochwertiges Kristallwachstum zu gewährleisten.

Infineon stellt den weltweit ersten 300-mm-Power-GaN-Wafer vor

Kürzlich gab Infineon Technologies die erfolgreiche Entwicklung der weltweit ersten 300-mm-Power-Galliumnitrid-Wafer-Technologie (GaN) bekannt.

Herstellung von monokristallinem Silizium

Die drei Hauptmethoden, die bei der Herstellung von monokristallinem Silizium verwendet werden, sind die Czochralski-Methode (CZ), die Kyropoulos-Methode und die Float-Zone-Methode (FZ).

Oxidation in der Halbleiterverarbeitung

Oxidationsprozesse spielen eine entscheidende Rolle bei der Vermeidung solcher Probleme, indem sie eine Schutzschicht auf dem Wafer erzeugen, die sogenannte Oxidschicht, die als Barriere zwischen verschiedenen Chemikalien fungiert.

Analyse der Anwendungen und Entwicklungsperspektiven von SiC-Keramik in der Halbleiter- und Photovoltaikbranche

Siliziumkarbid (SiC) verfügt als wichtiges High-End-Keramikmaterial über hervorragende Eigenschaften wie Hochtemperaturbeständigkeit, Korrosionsbeständigkeit, Verschleißfestigkeit, mechanische Hochtemperaturfestigkeit und Oxidationsbeständigkeit. Diese Eigenschaften machen es äußerst vielversprechen......

<...12 13 14 15 16...40 >