Semicorex N-Typ-Siliziumkarbidpulver (SiC) ist ein hochreines, dotiertes SiC-Material, das speziell für fortgeschrittene Kristallwachstumsanwendungen entwickelt wurde. Semicorex ist bestrebt, Qualitätsprodukte zu wettbewerbsfähigen Preisen anzubieten. Wir freuen uns darauf, Ihr langfristiger Partner in China zu werden.
Semicorex N-Typ-Siliziumkarbidpulver (SiC) ist ein hochreines, dotiertes SiC-Material, das speziell für fortgeschrittene Kristallwachstumsanwendungen entwickelt wurde. Dieses N-Typ-Siliziumkarbidpulver zeichnet sich durch seine hervorragenden elektrischen Eigenschaften und strukturelle Integrität aus und ist somit eine ideale Wahl für die Herstellung von Siliziumkarbidkristallen, die in verschiedenen Hochleistungshalbleiterbauelementen verwendet werden.
Siliziumkarbidpulver vom N-Typ ist mit Stickstoff (N) dotiert, der zusätzliche freie Elektronen in das SiC-Kristallgitter einführt und so dessen elektrische Leitfähigkeit erhöht. Diese Dotierung vom N-Typ ist entscheidend für Anwendungen, die präzise elektronische Eigenschaften erfordern. Siliziumkarbidpulver vom N-Typ durchläuft strenge Reinigungsverfahren, um einen hohen Reinheitsgrad zu erreichen und das Vorhandensein von Verunreinigungen zu minimieren, die den Kristallwachstumsprozess und die Leistung des Endprodukts beeinträchtigen könnten.
Semicorex Siliziumkarbidpulver vom N-Typ besteht aus feinen, gleichmäßig großen Partikeln, die ein gleichmäßiges Kristallwachstum fördern und die Gesamtqualität der Siliziumkarbidkristalle verbessern.
Dieses N-Typ-Siliziumkarbidpulver wird hauptsächlich für die Züchtung von Siliziumkarbidkristallen verwendet und ist ein wesentlicher Bestandteil bei der Herstellung elektronischer Hochleistungsgeräte, Hochtemperatursensoren und verschiedener optoelektronischer Komponenten. Es eignet sich auch für den Einsatz in Forschung und Entwicklung in der Halbleiterindustrie.
Eigenschaften
Modell | Reinheit | Packungsdichte | D10 | D50 | D90 |
SiC-N-S | >6N | <1,7 g/cm3 | 100 μm | 300 μm | 500 μm |
SiC-N-M | >6N | <1,3 g/cm3 | 500 μm | 1000μm | 2000μm |
SiC-N-L | >6N | <1,3 g/cm3 | 1000μm | 1500μm | 2500μm |
Anwendungen:
Siliziumkarbid-Kristallwachstum: Wird als Ausgangsmaterial für die Züchtung hochwertiger SiC-Kristalle verwendet.
Halbleiterbauelemente: Ideal für elektronische Hochleistungs- und Hochfrequenzkomponenten.
Hochtemperaturelektronik: Geeignet für Anwendungen, die robuste Leistung unter extremen Bedingungen erfordern.
Optoelektronik: Wird in Geräten verwendet, die außergewöhnliche thermische und elektrische Eigenschaften erfordern.