MOCVD-Einlassringe

Semicorex ist ein großer Hersteller und Lieferant von mit Siliziumkarbid beschichtetem Graphit in China. Unsere MOCVD-Einlassringe haben einen guten Preisvorteil und decken viele europäische und amerikanische Märkte ab. Wir freuen uns darauf, Ihr langfristiger Partner zu werden.

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Produktbeschreibung

Semicorex liefert MOCVD-Einlassringe für die Abscheidung und Waferverarbeitung, die für RTA, RTP oder aggressive chemische Reinigung äußerst stabil sind. Unsere MOCVD-Einlassringe verfügen über eine mit hochreinem Siliziumkarbid (SiC) beschichtete Graphitkonstruktion, die eine hervorragende Wärmebeständigkeit, gleichmäßige thermische Gleichmäßigkeit für eine gleichmäßige Epi-Schichtdicke und -beständigkeit sowie eine dauerhafte chemische Beständigkeit bietet. Die feine SiC-Kristallbeschichtung sorgt für eine saubere, glatte Oberfläche, was für die Handhabung von entscheidender Bedeutung ist, da makellose Wafer den Suszeptor an vielen Stellen über ihre gesamte Fläche berühren.

Bei Semicorex konzentrieren wir uns auf die Bereitstellung hochwertiger, kostengünstiger MOCVD-Einlassringe. Wir legen großen Wert auf die Kundenzufriedenheit und bieten kostengünstige Lösungen. Wir freuen uns darauf, Ihr langfristiger Partner zu werden, der qualitativ hochwertige Produkte und außergewöhnlichen Kundenservice liefert.

Parameter von MOCVD-Einlassringen

Hauptspezifikationen der CVD-SIC-Beschichtung
SiC-CVD-Eigenschaften
Kristallstruktur	FCC-β-Phase
Dichte	g/cm³	3.21
Härte	Vickershärte	2500
Körnung	μm	2~10
Chemische Reinheit	%	99.99995
Wärmekapazität	J kg-1 K-1	640
Sublimationstemperatur	℃	2700
Biegekraft	MPa (RT 4-Punkt)	415
Elastizitätsmodul	Gpa (4-Punkt-Biegung, 1300 ℃)	430
Wärmeausdehnung (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Wärmeleitfähigkeit	(W/mK)	300