Fasssuszeptor mit SiC-Beschichtung aus Halbleiter

Der Semicorex Barrel Susceptor mit SiC-Beschichtung in Halbleiter ist ein hochwertiges Graphitprodukt, das mit hochreinem SiC beschichtet ist, was ihn zur idealen Wahl für den Einsatz in Hochtemperatur- und korrosiven Umgebungen macht. Seine ausgezeichnete Dichte und Wärmeleitfähigkeit sorgen für eine außergewöhnliche Wärmeverteilung und Schutz bei Anwendungen in der Halbleiterfertigung.
Bei Semicorex konzentrieren wir uns darauf, unseren Kunden qualitativ hochwertige und kostengünstige Produkte anzubieten. Unser Barrel Susceptor mit SiC-Beschichtung im Halbleiter hat einen Preisvorteil und wird in viele europäische und amerikanische Märkte exportiert. Unser Ziel ist es, Ihr langfristiger Partner zu sein, der gleichbleibende Qualitätsprodukte und außergewöhnlichen Kundenservice liefert.

Parameter des Fasssuszeptors mit SiC-Beschichtung im Halbleiter

Merkmale des Fasssuszeptors mit SiC-Beschichtung im Halbleiter

- Sowohl das Graphitsubstrat als auch die Siliziumkarbidschicht weisen eine gute Dichte auf und können in Arbeitsumgebungen mit hohen Temperaturen und Korrosion eine gute Schutzfunktion spielen.

- Der mit Siliziumkarbid beschichtete Suszeptor, der für die Einkristallzüchtung verwendet wird, weist eine sehr hohe Oberflächenebenheit auf.

- Reduzieren Sie den Unterschied im Wärmeausdehnungskoeffizienten zwischen dem Graphitsubstrat und der Siliziumkarbidschicht und verbessern Sie effektiv die Haftfestigkeit, um Risse und Delaminierung zu verhindern.

- Sowohl das Graphitsubstrat als auch die Siliziumkarbidschicht verfügen über eine hohe Wärmeleitfähigkeit und hervorragende Wärmeverteilungseigenschaften.

- Hoher Schmelzpunkt, Oxidationsbeständigkeit bei hohen Temperaturen, Korrosionsbeständigkeit.