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Induktiv beheiztes Barrel-Epi-System

Induktiv beheiztes Barrel-Epi-System

Wenn Sie einen Graphitsuszeptor mit außergewöhnlichen Wärmeleitfähigkeits- und Wärmeverteilungseigenschaften benötigen, sind Sie beim induktiv beheizten Zylinder-Epi-System von Semicorex genau richtig. Seine hochreine SiC-Beschichtung bietet hervorragenden Schutz in Hochtemperatur- und korrosiven Umgebungen und macht es zur idealen Wahl für den Einsatz in Halbleiterfertigungsanwendungen.

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Produktbeschreibung

Das induktiv beheizte Zylinder-Epi-System von Semicorex ist die perfekte Wahl für Anwendungen in der Halbleiterfertigung, die eine außergewöhnliche Wärmeverteilung und Wärmeleitfähigkeit erfordern. Seine hochreine SiC-Beschichtung und die überlegene Dichte sorgen für hervorragende Schutz- und Wärmeverteilungseigenschaften und sorgen so für zuverlässige und konstante Leistung selbst in den anspruchsvollsten Umgebungen.
Bei Semicorex konzentrieren wir uns darauf, unseren Kunden qualitativ hochwertige und kostengünstige Produkte anzubieten. Unser induktiv beheiztes Barrel-Epi-System hat einen Preisvorteil und wird in viele europäische und amerikanische Märkte exportiert. Unser Ziel ist es, Ihr langfristiger Partner zu sein, der gleichbleibende Qualitätsprodukte und außergewöhnlichen Kundenservice liefert.


Parameter des induktiv beheizten Barrel-Epi-Systems

Hauptspezifikationen der CVD-SIC-Beschichtung

SiC-CVD-Eigenschaften

Kristallstruktur

FCC-β-Phase

Dichte

g/cm³

3.21

Härte

Vickershärte

2500

Körnung

μm

2~10

Chemische Reinheit

%

99.99995

Wärmekapazität

J kg-1 K-1

640

Sublimationstemperatur

2700

Biegekraft

MPa (RT 4-Punkt)

415

Elastizitätsmodul

Gpa (4-Punkt-Biegung, 1300 ℃)

430

Wärmeausdehnung (C.T.E)

10-6K-1

4.5

Wärmeleitfähigkeit

(W/mK)

300


Merkmale des induktiv beheizten Barrel-Epi-Systems

- Sowohl das Graphitsubstrat als auch die Siliziumkarbidschicht weisen eine gute Dichte auf und können in Arbeitsumgebungen mit hohen Temperaturen und Korrosion eine gute Schutzfunktion spielen.

- Der mit Siliziumkarbid beschichtete Suszeptor, der für die Einkristallzüchtung verwendet wird, weist eine sehr hohe Oberflächenebenheit auf.

- Reduzieren Sie den Unterschied im Wärmeausdehnungskoeffizienten zwischen dem Graphitsubstrat und der Siliziumkarbidschicht und verbessern Sie effektiv die Haftfestigkeit, um Risse und Delaminierung zu verhindern.

- Sowohl das Graphitsubstrat als auch die Siliziumkarbidschicht verfügen über eine hohe Wärmeleitfähigkeit und hervorragende Wärmeverteilungseigenschaften.

- Hoher Schmelzpunkt, Oxidationsbeständigkeit bei hohen Temperaturen, Korrosionsbeständigkeit.




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