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Epi-System mit induktiv beheizter Trommel für die LPE-Epitaxie

Epi-System mit induktiv beheizter Trommel für die LPE-Epitaxie

Wenn Sie einen Graphitsuszeptor mit außergewöhnlichen Wärmeleitfähigkeits- und Wärmeverteilungseigenschaften benötigen, sind Sie beim Epi-System mit induktiv beheizter Trommel von Semicorex für die LPE-Epitaxie genau richtig. Seine hochreine SiC-Beschichtung bietet hervorragenden Schutz in Hochtemperatur- und korrosiven Umgebungen und ist damit die ideale Wahl für den Einsatz in der Halbleiterfertigung.

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Produktbeschreibung

Das Epi-System mit induktiv beheizter Trommel von Semicorex für die LPE-Epitaxie ist die perfekte Wahl für Anwendungen in der Halbleiterfertigung, die eine außergewöhnliche Wärmeverteilung und Wärmeleitfähigkeit erfordern. Die hochreine SiC-Beschichtung und die überlegene Dichte bieten hervorragende Schutz- und Wärmeverteilungseigenschaften und gewährleisten eine zuverlässige und konsistente Leistung selbst in den anspruchsvollsten Umgebungen.

Bei Semicorex konzentrieren wir uns darauf, unseren Kunden qualitativ hochwertige und kostengünstige Produkte anzubieten. Unser Epi-System mit induktiv beheizter Trommel für die LPE-Epitaxie hat einen Preisvorteil und wird in viele europäische und amerikanische Märkte exportiert. Unser Ziel ist es, Ihr langfristiger Partner zu sein, der gleichbleibende Qualitätsprodukte und außergewöhnlichen Kundenservice liefert.


Parameter des Epi-Systems mit induktiv beheizter Trommel für die LPE-Epitaxie

Hauptspezifikationen der CVD-SIC-Beschichtung

SiC-CVD-Eigenschaften

Kristallstruktur

FCC β-Phase

Dichte

g/cm³

3.21

Härte

Vickers-Härte

2500

Körnung

μm

2~10

Chemische Reinheit

%

99.99995

Wärmekapazität

J·kg –1 ·K –1

640

Sublimationstemperatur

2700

Biegefestigkeit

MPa (RT 4-Punkt)

415

Elastizitätsmodul

Gpa (4pt Biegung, 1300â)

430

Wärmeausdehnung (CTE)

10-6K-1

4.5

Wärmeleitfähigkeit

(W/mK)

300


Merkmale des Epi-Systems mit induktiv beheizter Trommel für die LPE-Epitaxie

- Sowohl das Graphitsubstrat als auch die Siliziumkarbidschicht haben eine gute Dichte und können eine gute schützende Rolle in Arbeitsumgebungen mit hohen Temperaturen und korrosiven Einflüssen spielen.

- Mit Siliziumkarbid beschichteter Suszeptor, der für die Einkristallzüchtung verwendet wird, hat eine sehr hohe Oberflächenebenheit.

- Reduzieren Sie den Unterschied im Wärmeausdehnungskoeffizienten zwischen dem Graphitsubstrat und der Siliziumkarbidschicht und verbessern Sie effektiv die Haftfestigkeit, um Risse und Delamination zu verhindern.

- Sowohl das Graphitsubstrat als auch die Siliziumkarbidschicht haben eine hohe Wärmeleitfähigkeit und ausgezeichnete Wärmeverteilungseigenschaften.

- Hoher Schmelzpunkt, Hochtemperatur-Oxidationsbeständigkeit, Korrosionsbeständigkeit.




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