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Induktiv gekoppeltes Plasma (ICP)

Induktiv gekoppeltes Plasma (ICP)

Der mit Siliziumkarbid beschichtete Suszeptor von Semicorex für induktiv gekoppeltes Plasma (ICP) wurde speziell für Hochtemperatur-Wafer-Handling-Prozesse wie Epitaxie und MOCVD entwickelt. Mit einer stabilen Hochtemperatur-Oxidationsbeständigkeit von bis zu 1600 °C gewährleisten unsere Träger gleichmäßige thermische Profile, laminare Gasströmungsmuster und verhindern die Diffusion von Verunreinigungen oder Verunreinigungen.

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Produktbeschreibung

Benötigen Sie einen Waferträger, der mit hohen Temperaturen und rauen chemischen Umgebungen umgehen kann? Suchen Sie nicht weiter als den mit Siliziumkarbid beschichteten Suszeptor von Semicorex für induktiv gekoppeltes Plasma (ICP). Unsere Träger verfügen über eine feine SiC-Kristallbeschichtung, die eine hervorragende Hitzebeständigkeit, gleichmäßige thermische Gleichmäßigkeit und dauerhafte chemische Beständigkeit bietet.
Kontaktieren Sie uns noch heute, um mehr über unseren SiC-Suszeptor für induktiv gekoppeltes Plasma (ICP) zu erfahren.


Parameter des Suszeptors für induktiv gekoppeltes Plasma (ICP)

Hauptspezifikationen der CVD-SIC-Beschichtung

SiC-CVD-Eigenschaften

Kristallstruktur

FCC β-Phase

Dichte

g/cm³

3.21

Härte

Vickers-Härte

2500

Körnung

μm

2~10

Chemische Reinheit

%

99.99995

Wärmekapazität

J·kg –1 ·K –1

640

Sublimationstemperatur

2700

Biegefestigkeit

MPa (RT 4-Punkt)

415

Elastizitätsmodul

Gpa (4pt Biegung, 1300â)

430

Wärmeausdehnung (CTE)

10-6K-1

4.5

Wärmeleitfähigkeit

(W/mK)

300


Merkmale des mit Siliziumkarbid beschichteten Suszeptors für induktiv gekoppeltes Plasma (ICP)

- Ablösen vermeiden und Beschichtung auf allen Oberflächen sicherstellen

Hochtemperatur-Oxidationsbeständigkeit: Stabil bei hohen Temperaturen bis zu 1600 °C

Hohe Reinheit: Hergestellt durch CVD-CVD unter Hochtemperatur-Chlorierungsbedingungen.

Korrosionsbeständigkeit: hohe Härte, dichte Oberfläche und feine Partikel.

Korrosionsbeständigkeit: Säure, Alkali, Salz und organische Reagenzien.

- Erzielen Sie das beste laminare Gasströmungsmuster

- Gewährleistung der Gleichmäßigkeit des thermischen Profils

- Verhindern Sie jegliche Kontamination oder Diffusion von Verunreinigungen





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