ICP-Plasmaätztablett

Das ICP-Plasma-Ätztablett von Semicorex wurde speziell für Hochtemperatur-Wafer-Handhabungsprozesse wie Epitaxie und MOCVD entwickelt. Mit einer stabilen Oxidationsbeständigkeit bei hohen Temperaturen von bis zu 1600 °C sorgen unsere Träger für gleichmäßige thermische Profile und laminare Gasströmungsmuster und verhindern die Diffusion von Verunreinigungen oder Verunreinigungen.

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Produktbeschreibung

Unser ICP-Plasmaätztablett ist mit Siliziumkarbid im CVD-Verfahren beschichtet. Dies ist die ideale Lösung für Wafer-Handhabungsprozesse, die eine Reinigung bei hohen Temperaturen und aggressiven Chemikalien erfordern. Die Träger von Semicorex verfügen über eine feine SiC-Kristallbeschichtung, die gleichmäßige Wärmeprofile und laminare Gasströmungsmuster bietet und die Diffusion von Verunreinigungen oder Verunreinigungen verhindert.
Bei Semicorex konzentrieren wir uns darauf, unseren Kunden qualitativ hochwertige und kostengünstige Produkte anzubieten. Unser ICP-Plasmaätztablett hat einen Preisvorteil und wird in viele europäische und amerikanische Märkte exportiert. Unser Ziel ist es, Ihr langfristiger Partner zu sein, der gleichbleibende Qualitätsprodukte und außergewöhnlichen Kundenservice liefert.
Kontaktieren Sie uns noch heute, um mehr über unser ICP-Plasmaätztablett zu erfahren.

Parameter des ICP-Plasmaätztabletts

Hauptspezifikationen der CVD-SIC-Beschichtung
SiC-CVD-Eigenschaften
Kristallstruktur	FCC-β-Phase
Dichte	g/cm³	3.21
Härte	Vickershärte	2500
Körnung	μm	2~10
Chemische Reinheit	%	99.99995
Wärmekapazität	J kg-1 K-1	640
Sublimationstemperatur	℃	2700
Biegekraft	MPa (RT 4-Punkt)	415
Elastizitätsmodul	Gpa (4-Punkt-Biegung, 1300 ℃)	430
Wärmeausdehnung (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Wärmeleitfähigkeit	(W/mK)	300