Die ICP-Ätzträgerplatte von Semicorex ist die perfekte Lösung für anspruchsvolle Waferhandhabungs- und Dünnschichtabscheidungsprozesse. Unser Produkt bietet überlegene Hitze- und Korrosionsbeständigkeit, gleichmäßige thermische Gleichmäßigkeit und laminare Gasströmungsmuster. Mit einer sauberen und glatten Oberfläche eignet sich unser Träger perfekt für die Handhabung makelloser Wafer.
Die ICP-Ätz-Trägerplatte von Semicorex bietet hervorragende Haltbarkeit und Langlebigkeit für die Wafer-Handhabung und Dünnschicht-Abscheidungsprozesse. Unser Produkt zeichnet sich durch überlegene Hitze- und Korrosionsbeständigkeit, gleichmäßige thermische Gleichmäßigkeit und laminare Gasströmungsmuster aus. Mit einer sauberen und glatten Oberfläche gewährleistet unser Träger eine optimale Handhabung makelloser Wafer. Hohe Temperatur, chemische Reinigung sowie hohe thermische Gleichmäßigkeit zurückziehen.
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Parameter der ICP-Ätzträgerplatte
Hauptspezifikationen der CVD-SIC-Beschichtung |
||
SiC-CVD-Eigenschaften |
||
Kristallstruktur |
FCC β-Phase |
|
Dichte |
g/cm³ |
3.21 |
Härte |
Vickers-Härte |
2500 |
Körnung |
μm |
2~10 |
Chemische Reinheit |
% |
99.99995 |
Wärmekapazität |
J·kg –1 ·K –1 |
640 |
Sublimationstemperatur |
℃ |
2700 |
Biegefestigkeit |
MPa (RT 4-Punkt) |
415 |
Elastizitätsmodul |
Gpa (4pt Biegung, 1300â) |
430 |
Wärmeausdehnung (CTE) |
10-6K-1 |
4.5 |
Wärmeleitfähigkeit |
(W/mK) |
300 |
Merkmale der ICP-Ätzträgerplatte
- Ablösen vermeiden und Beschichtung auf allen Oberflächen sicherstellen
Hochtemperatur-Oxidationsbeständigkeit: Stabil bei hohen Temperaturen bis zu 1600 °C
Hohe Reinheit: Hergestellt durch CVD-CVD unter Hochtemperatur-Chlorierungsbedingungen.
Korrosionsbeständigkeit: hohe Härte, dichte Oberfläche und feine Partikel.
Korrosionsbeständigkeit: Säure, Alkali, Salz und organische Reagenzien.
- Erzielen Sie das beste laminare Gasströmungsmuster
- Gewährleistung der Gleichmäßigkeit des thermischen Profils
- Verhindern Sie jegliche Kontamination oder Diffusion von Verunreinigungen