Horizontale Siliziumkarbid-Boote

Semicorex horizontalSiliziumkarbid-Bootewerden mithilfe der 3D-Drucktechnologie integral geformt und anschließend durch Hochtemperatursintern hergestellt. Diese Komponenten wurden speziell für verschiedene Hochtemperatur-Horizontalofengrößen entwickelt und werden häufig eingesetzt, um die Wafer-Retention in kritischen Hochtemperatur-Halbleiterherstellungsprozessen, einschließlich Diffusion, Oxidation und chemischer Gasphasenabscheidung, sicher zu gewährleisten.

Physikochemische Eigenschaften von Siliziumkarbid

Die Vorteile des horizontalen Siliziumkarbidboots von Semicorexs

1. Stabile Unterstützung und Position

Die beispiellose Materialstärke und -härte verleihen den horizontalen Siliziumkarbidbooten von Semicorex eine hervorragende Tragfähigkeit, die es ihnen ermöglicht, mehrere Wafer gleichzeitig stabil zu tragen. Durch die präzise Schlitzbearbeitung können die horizontalen Siliziumkarbid-Boote von Semicorex Halbleiterwafer fest fixieren und sicher halten. Die gleichmäßig verteilte Schlitzstruktur sorgt dafür, dass die Wafer während des gesamten Verarbeitungszyklus eine feste Position behalten und gewährleistet so die Konsistenz und Präzision der Halbleiterfertigungsprozesse.

2.Kompatibilität mit komplexen Betriebsbedingungen

Dank ihrer überlegenen Hochtemperaturbeständigkeit und Korrosionsbeständigkeit sind die horizontalen Siliziumkarbidboote von Semicorex in der Lage, rauen Betriebsumgebungen wie Hochtemperaturatmosphären aus Sauerstoff, Stickstoff oder niedrig konzentriertem Chlorwasserstoff standzuhalten. Diese außergewöhnlichen Materialeigenschaften können Korrosion und Schäden durch korrosive Gase mit hoher Temperatur wirksam verhindern, was die Lebensdauer der Boote erheblich verlängert.

3. Außergewöhnliche Sauberkeitsleistung

Im Gegensatz zu herkömmlichen mit Siliziumkarbid beschichteten Graphitbooten werden die horizontalen Siliziumkarbidboote von Semicorex aus hochreinem Halbleitermaterial hergestelltSiliziumkarbid(99,999 %) mit extrem niedrigem Verunreinigungsgehalt. Diese erstklassige Materialauswahl eliminiert das Risiko des Ausgasens von Verunreinigungen oder des Abblätterns der Beschichtung, selbst wenn es hohen Temperaturen und rauen korrosiven Umgebungen ausgesetzt ist. Darüber hinaus wird jedes unserer Siliziumkarbid-Schiffchen vor der Vakuumverpackung strengen Ultraschallreinigungsprozessen unterzogen, was die Einhaltung der Sauberkeitsstandards gewährleistet, die für fortschrittliche Halbleiterfertigungsprozesse erforderlich sind.