Hochtemperatur-SiC-Beschichtung für Plasmaätzkammern

Wenn es um Wafer-Handling-Prozesse wie Epitaxie und MOCVD geht, ist die Hochtemperatur-SiC-Beschichtung für Plasmaätzkammern von Semicorex die erste Wahl. Unsere Träger bieten dank unserer feinen SiC-Kristallbeschichtung eine hervorragende Hitzebeständigkeit, gleichmäßige thermische Gleichmäßigkeit und dauerhafte chemische Beständigkeit.

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Produktbeschreibung

Wir bei Semicorex verstehen die Bedeutung hochwertiger Wafer-Handhabungsgeräte. Aus diesem Grund wurde unsere Hochtemperatur-SiC-Beschichtung für Plasmaätzkammern speziell für Hochtemperatur- und raue chemische Reinigungsumgebungen entwickelt. Unsere Träger bieten gleichmäßige thermische Profile, laminare Gasströmungsmuster und verhindern die Diffusion von Kontamination oder Verunreinigungen.
Kontaktieren Sie uns noch heute, um mehr über unsere Hochtemperatur-SiC-Beschichtung für Plasmaätzkammern zu erfahren.

Parameter der Hochtemperatur-SiC-Beschichtung für Plasmaätzkammern

Hauptspezifikationen der CVD-SIC-Beschichtung
SiC-CVD-Eigenschaften
Kristallstruktur	FCC β-Phase
Dichte	g/cm³	3.21
Härte	Vickers-Härte	2500
Körnung	Î¼m	2~10
Chemische Reinheit	%	99.99995
Wärmekapazität	J·kg –1 ·K –1	640
Sublimationstemperatur	℃	2700
Biegefestigkeit	MPa (RT 4-Punkt)	415
Elastizitätsmodul	Gpa (4pt Biegung, 1300â)	430
Wärmeausdehnung (CTE)	10-6K-1	4.5
Wärmeleitfähigkeit	(W/mK)	300

Merkmale der Hochtemperatur-SiC-Beschichtung für Plasmaätzkammern

- Ablösen vermeiden und Beschichtung auf allen Oberflächen sicherstellen

Hochtemperatur-Oxidationsbeständigkeit: Stabil bei hohen Temperaturen bis zu 1600 °C

Hohe Reinheit: Hergestellt durch CVD-CVD unter Hochtemperatur-Chlorierungsbedingungen.

Korrosionsbeständigkeit: hohe Härte, dichte Oberfläche und feine Partikel.

Korrosionsbeständigkeit: Säure, Alkali, Salz und organische Reagenzien.

- Erzielen Sie das beste laminare Gasströmungsmuster

- Gewährleistung der Gleichmäßigkeit des thermischen Profils

- Verhindern Sie jegliche Kontamination oder Diffusion von Verunreinigungen

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