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Hochtemperatur-SiC-beschichteter Zylindersuszeptor

Hochtemperatur-SiC-beschichteter Zylindersuszeptor

Wenn es um die Halbleiterfertigung geht, ist der SiC-beschichtete Hochtemperatur-Zylindersuszeptor von Semicorex die erste Wahl für überragende Leistung und Zuverlässigkeit. Seine hochwertige SiC-Beschichtung und außergewöhnliche Wärmeleitfähigkeit machen es ideal für den Einsatz selbst in den anspruchsvollsten Hochtemperatur- und Korrosionsumgebungen.

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Produktbeschreibung

Der SiC-beschichtete Hochtemperatur-Zylindersuszeptor von Semicorex ist die perfekte Wahl für die Einkristallzüchtung und andere Halbleiterfertigungsanwendungen, die eine hohe Hitze- und Korrosionsbeständigkeit erfordern. Seine Siliziumkarbid-Beschichtung bietet hervorragende Schutz- und Wärmeverteilungseigenschaften und sorgt so für zuverlässige und konstante Leistung selbst in den anspruchsvollsten Umgebungen.

Bei Semicorex konzentrieren wir uns auf die Bereitstellung hochwertiger, kostengünstiger Hochtemperatur-SiC-beschichteter Zylindersuszeptoren. Wir legen großen Wert auf die Kundenzufriedenheit und bieten kostengünstige Lösungen. Wir freuen uns darauf, Ihr langfristiger Partner zu werden, der qualitativ hochwertige Produkte und außergewöhnlichen Kundenservice liefert.


Parameter des Hochtemperatur-SiC-beschichteten Zylindersuszeptors

Hauptspezifikationen der CVD-SIC-Beschichtung

SiC-CVD-Eigenschaften

Kristallstruktur

FCC-β-Phase

Dichte

g/cm³

3.21

Härte

Vickershärte

2500

Körnung

μm

2~10

Chemische Reinheit

%

99.99995

Wärmekapazität

J kg-1 K-1

640

Sublimationstemperatur

2700

Biegekraft

MPa (RT 4-Punkt)

415

Elastizitätsmodul

Gpa (4-Punkt-Biegung, 1300 ℃)

430

Wärmeausdehnung (C.T.E)

10-6K-1

4.5

Wärmeleitfähigkeit

(W/mK)

300


Merkmale des Hochtemperatur-SiC-beschichteten Zylindersuszeptors

- Sowohl das Graphitsubstrat als auch die Siliziumkarbidschicht weisen eine gute Dichte auf und können in Arbeitsumgebungen mit hohen Temperaturen und Korrosion eine gute Schutzfunktion spielen.

- Der mit Siliziumkarbid beschichtete Suszeptor, der für die Einkristallzüchtung verwendet wird, weist eine sehr hohe Oberflächenebenheit auf.

- Reduzieren Sie den Unterschied im Wärmeausdehnungskoeffizienten zwischen dem Graphitsubstrat und der Siliziumkarbidschicht und verbessern Sie effektiv die Haftfestigkeit, um Risse und Delaminierung zu verhindern.

- Sowohl das Graphitsubstrat als auch die Siliziumkarbidschicht verfügen über eine hohe Wärmeleitfähigkeit und hervorragende Wärmeverteilungseigenschaften.

- Hoher Schmelzpunkt, Oxidationsbeständigkeit bei hohen Temperaturen, Korrosionsbeständigkeit.




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