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Gaseinlassring für Halbleitergeräte

Semicorex ist ein großer Hersteller und Lieferant von mit Siliziumkarbid beschichteten Graphitsuszeptoren in China. Wir konzentrieren uns auf Halbleiterindustrien wie Siliziumkarbidschichten und Epitaxiehalbleiter. Unser Gaseinlassring für Halbleitergeräte hat einen guten Preisvorteil und deckt viele europäische und amerikanische Märkte ab. Wir freuen uns darauf, Ihr langfristiger Partner in China zu werden.

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Produktbeschreibung

Der Semicorex-Gaseinlassring für Halbleitergeräte ist mit SiC beschichtet, einer dichten, verschleißfesten Siliziumkarbid (SiC)-Beschichtung. Es verfügt über hohe Korrosions- und Hitzebeständigkeitseigenschaften sowie eine hervorragende Wärmeleitfähigkeit. Wir tragen SiC im chemischen Gasphasenabscheidungsverfahren (CVD) in dünnen Schichten auf den Graphit auf.

Unser Gaseinlassring für Halbleitergeräte ist darauf ausgelegt, das beste laminare Gasströmungsmuster zu erzielen und ein gleichmäßiges thermisches Profil sicherzustellen. Dies trägt dazu bei, jegliche Kontamination oder Diffusion von Verunreinigungen zu verhindern und sorgt für ein qualitativ hochwertiges epitaktisches Wachstum auf dem Wafer-Chip.

Kontaktieren Sie uns noch heute, um mehr über unseren Gaseinlassring für Halbleitergeräte zu erfahren.

Parameter des Gaseinlassrings für Halbleitergeräte

Hauptspezifikationen der CVD-SIC-Beschichtung
SiC-CVD-Eigenschaften
Kristallstruktur	FCC-β-Phase
Dichte	g/cm³	3.21
Härte	Vickershärte	2500
Körnung	μm	2~10
Chemische Reinheit	%	99.99995
Wärmekapazität	J kg-1 K-1	640
Sublimationstemperatur	℃	2700
Biegekraft	MPa (RT 4-Punkt)	415
Elastizitätsmodul	Gpa (4-Punkt-Biegung, 1300 ℃)	430
Wärmeausdehnung (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Wärmeleitfähigkeit	(W/mK)	300