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Gaseinlassring für Halbleitergeräte

Semicorex ist ein großer Hersteller und Lieferant von mit Siliziumkarbid beschichteten Graphitsuszeptoren in China. Wir konzentrieren uns auf Halbleiterindustrien wie Siliziumkarbidschichten und Epitaxiehalbleiter. Unser Gaseinlassring für Halbleiterausrüstung hat einen guten Preisvorteil und deckt viele der europäischen und amerikanischen Märkte ab. Wir freuen uns darauf, Ihr langfristiger Partner in China zu werden.

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Produktbeschreibung

Der Gaseinlassring von Semicorex für Halbleitergeräte ist mit SiC beschichtet, einer dichten, verschleißfesten Beschichtung aus Siliziumkarbid (SiC). Es hat hohe Korrosions- und Hitzebeständigkeitseigenschaften sowie eine ausgezeichnete Wärmeleitfähigkeit. SiC tragen wir im CVD-Verfahren (Chemical Vapor Deposition) in dünnen Schichten auf den Graphit auf.

Unser Gaseinlassring für Halbleitergeräte wurde entwickelt, um das beste laminare Gasströmungsmuster zu erzielen und ein gleichmäßiges thermisches Profil zu gewährleisten. Dies trägt dazu bei, jegliche Kontamination oder Diffusion von Verunreinigungen zu verhindern, wodurch ein qualitativ hochwertiges epitaxiales Wachstum auf dem Waferchip sichergestellt wird.

Kontaktieren Sie uns noch heute, um mehr über unseren Gaseinlassring für Halbleitergeräte zu erfahren.

Parameter des Gaseinlassrings für Halbleitergeräte

Hauptspezifikationen der CVD-SIC-Beschichtung
SiC-CVD-Eigenschaften
Kristallstruktur	FCC β-Phase
Dichte	g/cm³	3.21
Härte	Vickers-Härte	2500
Körnung	Î¼m	2~10
Chemische Reinheit	%	99.99995
Wärmekapazität	J·kg –1 ·K –1	640
Sublimationstemperatur	℃	2700
Biegefestigkeit	MPa (RT 4-Punkt)	415
Elastizitätsmodul	Gpa (4pt Biegung, 1300â)	430
Wärmeausdehnung (CTE)	10-6K-1	4.5
Wärmeleitfähigkeit	(W/mK)	300