Epitaktisches Wafer-Boot

Semicorex bietet Waferboote, Sockel und kundenspezifische Waferträger sowohl für vertikale/Säulen- als auch horizontale Konfigurationen. Wir sind seit vielen Jahren Hersteller und Lieferant von Siliziumkarbid-Beschichtungsfolien. Unser Epitaxie-Wafer-Boot hat einen guten Preisvorteil und deckt die meisten europäischen und amerikanischen Märkte ab. Wir freuen uns darauf, Ihr langfristiger Partner in China zu werden.

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Produktbeschreibung

Semicorex Epitaxial Wafer Boat, die perfekte Lösung für die Waferverarbeitung in der Halbleiterfertigung. Unsere Epitaxie-Wafer-Boote bestehen aus hochwertiger Siliziumkarbid-Keramik (SiC), die eine hervorragende Beständigkeit gegen hohe Temperaturen und chemische Korrosion bietet.
Unser Epitaxie-Wafer-Boot aus Siliziumkarbid verfügt über eine glatte Oberfläche, die die Partikelbildung minimiert und den höchsten Reinheitsgrad für Ihre Produkte gewährleistet. Mit ausgezeichneter Wärmeleitfähigkeit und hervorragender mechanischer Festigkeit liefern unsere Boote konsistente und zuverlässige Ergebnisse.
Unsere Epitaxie-Wafer-Boote sind mit allen Standard-Wafer-Verarbeitungsgeräten kompatibel und halten Temperaturen von bis zu 1600 °C stand. Sie sind einfach zu handhaben und zu reinigen, was sie zu einer kostengünstigen und effizienten Wahl für Ihre Fertigungsanforderungen macht.
Unser Expertenteam ist bestrebt, die beste Qualität und den besten Service zu bieten. Wir bieten maßgeschneiderte Designs an, die Ihren spezifischen Anforderungen entsprechen, und unsere Produkte werden durch unser Qualitätssicherungsprogramm abgesichert.

Parameter des Epitaxie-Wafer-Bootes

Technische Eigenschaften
Index	Einheit	Wert
Materialname		Reaktionsgesintertes Siliziumkarbid	Drucklos gesintertes Siliziumkarbid	Rekristallisiertes Siliziumkarbid
Zusammensetzung		RBSiC	SSiC	R-SiC
Schüttdichte	g/cm3	3	3,15 ± 0,03	2,60-2,70
Biegefestigkeit	MPa (kpsi)	338(49)	380(55)	80-90 (20°C) 90–100 (1400 °C)
Druckfestigkeit	MPa (kpsi)	1120(158)	3970(560)	> 600
Härte	Taste	2700	2800	/
Hartnäckigkeit brechen	MPa m1/2	4.5	4	/
Wärmeleitfähigkeit	W/m.k	95	120	23
Wärmeausdehnungskoeffizient	10^-6.1/°C	5	4	4.7
Spezifische Wärme	Joule/g 0k	0.8	0.67	/
Maximale Temperatur in der Luft	℃	1200	1500	1600
Elastizitätsmodul	Gpa	360	410	240

Der Unterschied zwischen SSiC und RBSiC:

1. Der Sinterprozess ist anders. RBSiC soll bei niedriger Temperatur freies Si in Siliziumkarbid infiltrieren, SSiC entsteht durch natürliche Schrumpfung bei 2100 Grad.

2. SSiC hat eine glattere Oberfläche, eine höhere Dichte und eine höhere Festigkeit. Für einige Dichtungen mit strengeren Oberflächenanforderungen ist SSiC besser.

3. Unterschiedliche Nutzungsdauer bei unterschiedlichem pH-Wert und unterschiedlicher Temperatur, SSiC ist länger als RBSiC

Merkmale des Siliziumkarbid-Epitaxie-Wafer-Bootes

Hochreines SiC, beschichtet durch MOCVD
Überlegene Hitzebeständigkeit und thermische Gleichmäßigkeit
Feine SiC-Kristallbeschichtung für eine glatte Oberfläche
Hohe Beständigkeit gegen chemische Reinigung
Das Material ist so konzipiert, dass es nicht zu Rissen und Delaminationen kommt.