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Epitaktisches Waferboot
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Epitaktisches Waferboot

Semicorex bietet Waferboote, Sockel und kundenspezifische Waferträger für vertikale/Säulen- und horizontale Konfigurationen an. Wir sind seit vielen Jahren Hersteller und Lieferant von Beschichtungsfilmen aus Siliziumkarbid. Unser Epitaxie-Waferboot hat einen guten Preisvorteil und deckt die meisten europäischen und amerikanischen Märkte ab. Wir freuen uns darauf, Ihr langfristiger Partner in China zu werden.

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Produktbeschreibung

Semicorex Epitaxial Wafer Boat, die perfekte Lösung für die Waferbearbeitung in der Halbleiterfertigung. Unsere Epitaxie-Waferboote werden aus hochwertiger Siliziumkarbid-Keramik (SiC) hergestellt, die eine hervorragende Beständigkeit gegen hohe Temperaturen und chemische Korrosion bietet.
Unser Siliziumkarbid-Epitaxie-Waferboot hat eine glatte Oberfläche, die die Partikelerzeugung minimiert und den höchsten Grad an Reinheit für Ihre Produkte gewährleistet. Mit ausgezeichneter Wärmeleitfähigkeit und überlegener mechanischer Festigkeit liefern unsere Boote konsistente und zuverlässige Ergebnisse.
Unsere Epitaxie-Waferboote sind mit allen Standard-Waferverarbeitungsgeräten kompatibel und können Temperaturen von bis zu 1600 °C standhalten. Sie sind einfach zu handhaben und zu reinigen, was sie zu einer kostengünstigen und effizienten Wahl für Ihre Fertigungsanforderungen macht.
Unser Expertenteam ist bestrebt, die beste Qualität und den besten Service zu bieten. Wir bieten kundenspezifische Designs an, um Ihre spezifischen Anforderungen zu erfüllen, und unsere Produkte werden durch unser Qualitätssicherungsprogramm unterstützt.


Parameter des epitaxialen Waferboots

Technische Eigenschaften

Index

Einheit

Wert

Material Name

Reaktionsgesintertes Siliziumkarbid

Drucklos gesintertes Siliziumkarbid

Rekristallisiertes Siliziumkarbid

Komposition

RBSiC

SSiC

R-SiC

Schüttdichte

g/cm3

3

3,15 ± 0,03

2,60-2,70

Biegefestigkeit

MPa (kpsi)

338(49)

380(55)

80-90 (20°C)90-100(1400°C)

Druckfestigkeit

MPa (kpsi)

1120(158)

3970(560)

> 600

Härte

Knoop

2700

2800

/

Hartnäckigkeit brechen

MPa·m1/2

4.5

4

/

Wärmeleitfähigkeit

W/m.k

95

120

23

Der Wärmeausdehnungskoeffizient

10-6.1/°C

5

4

4.7

Spezifische Wärme

Joule/g 0k

0.8

0.67

/

Maximale Temperatur in der Luft

1200

1500

1600

Elastizitätsmodul

Gpa

360

410

240


Der Unterschied zwischen SSiC und RBSiC:

1. Der Sinterprozess ist anders. RBSiC soll freies Si bei niedriger Temperatur in Siliziumkarbid infiltrieren, SSiC wird durch natürliches Schrumpfen bei 2100 Grad gebildet.

2. SSiC hat eine glattere Oberfläche, eine höhere Dichte und eine höhere Festigkeit. Für einige Dichtungen mit strengeren Oberflächenanforderungen ist SSiC besser.

3. Unterschiedliche Nutzungszeiten bei unterschiedlichen pH-Werten und Temperaturen, SSiC ist länger als RBSiC


Merkmale des Siliziumkarbid-Epitaxialwaferboots

Hochreines SiC, beschichtet durch MOCVD
Hervorragende Hitzebeständigkeit und thermische Gleichmäßigkeit
Feine SiC-Kristallbeschichtung für eine glatte Oberfläche
Hohe Beständigkeit gegen chemische Reinigung
Das Material ist so konzipiert, dass keine Risse und Delaminationen auftreten.



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